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NPN晶体管处于放大状态的条件是UBB＞UBE（on)，且UCEQ＞UBE（on) 。
参考答案和解析
发射结正偏、集电结反偏
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考题
放大电路如图所示，设晶体管β=50，RC=1.5kΩ，UBE=0.6V，为使电路在可变电阻RW=0时，晶体管刚好进入饱和状态，电阻R应取（ ）kΩ。
A．72
B．100
C．25
D．50
考题
晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（）。
A.β和ICBO增加，UBE减小
B.β和UBE减小，ICBO增加
C.β增加，ICBO和UBE减小
D.β、UBE和ICBO都增加
考题
晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（ ）。
A．β增加，ICBO和UBE减小
B．β和ICBO增加，UBE减小
C．β和UBE减小，ICBO增加
D．β、ICBO和UBE都增加
考题
放大电路如题图（a）所示，晶体管的输出特性曲线以及放大电路的交、直流负载线如题图（b）所示。设晶体管的β=50，UBE=0.7V，放大电路的电压放大倍数Au为（ ）。
A． -102.6
B． -88.2
C． -18.9
D． -53
考题
用万用表测量某电子线路中的晶体管测得VE=-3V、VCE=6V、VBC=-5.3V，则该管是（）。A、PNP型，处于放大工作状态B、PNP型处于截止工作状态C、NPN型，处于放大工作状态D、NPN型处于截止工作状态
考题
晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
考题
晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）。A、β增加，ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加
考题
单选题用万用表测三电极的参数为UBE=-0.3V、UCE=-0.1V，则（）A
三极管是处于截止状态B
三极管是NPN型C
三极管是处于放大状态D
三极管是处于饱和状态
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