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一般情况下,“单系统总功率36dBm及以上型器件”应用于靠近()的位置,“单系统总功率36dBm及以下型器件”应用于靠近()的位置。
A.信源；室分天线
B.室分天线；信源
C.二功分器；室分天线
D.6dB耦合器；室分天线
参考答案
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考题
某种三端无源器件(不考虑插损),当输入信号功率为36dBm时,测得输出端1的信号功率为29dBm,另一输出端测得的功率为35dBm,则此无源器件为()
A.三功分器B.7:1耦合器C.二功分器D.4:1耦合器
考题
中央型肺癌的定义是A、肿瘤起源于主支气管以上，位置靠近肺门B、肿瘤起源于叶支气管以上，位置靠近肺门C、肿瘤起源于段支气管以上，位置靠近肺门D、肿瘤起源于主支气管以下，位置靠近肺门E、肿瘤起源于叶支气管以下，位置靠近肺门
考题
某种三端无源器件(不考虑插损),当输入信号功率为36dBm时,测得输出端1的信号功率为29dBm,另一输出端测得的功率为35dBm,则此无源器件为:()
A.二功分器B.三功分器C.6DB耦合器D.7DB耦合器
考题
根据《QB－J－003－2012室分分布系统设计规范》在进行室分系统设计时,应核算本站点信源的总功率,以在适当位置选用相应品质等级的室分器件,并在图纸上标注清楚。一般情况下,“单系统总功率()及以上型器件”应用于靠近信源的位置,“单系统总功率()及以下型器件”应用于靠近室分天线的位置。考虑到后续扩容需求,信源功率的取值可采用简化模型并保留一定的余量。
A.12dBmB.24dBmC.36dBmD.48dBm
考题
4、关于功率MOSFET，下面（)正确。A．功率MOSFET为双极型器件；B．功率MOSFET为单极型器件；C．功率MOSFET的优势在于存在电导调制效应；D．功率MOSFET为电流控制型器件。
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