以下关于简单林德循环的描述中，正确的是：A、液化率低，功耗高B、是两阶循环C、液化率低，功耗也低

题目内容（请给出正确答案）

以下关于简单林德循环的描述中，正确的是：

A、液化率低，功耗高

B、是两阶循环

C、液化率低，功耗也低

参考答案

考题以下关于主流固态硬盘的叙述中，正确的是（）。A.存储介质是磁表面存储器，比机械硬盘功耗高B.存储介质是磁表面存储器，比机械硬盘功耗低C.存储介质是闪存芯片，比机械硬盘功耗高D.存储介质是闪存芯片，比机械硬盘功耗低

查看答案

考题对同样的原料气体，以下液化循环中单位功耗最低的是：A、林德循环B、克劳特循环C、DMR工艺

查看答案

考题带预冷的膨胀机液化循环与不带预冷的膨胀机循环相比，可以降低功耗。()

查看答案

考题以下天然气液化工艺中，属于MRC循环类的是：A、林德循环B、克劳特循环C、C3-MR工艺

查看答案

考题林德循环的液化率等于1。()

查看答案

考题带预冷的林德循环的液化率比简单林德循环高。()

查看答案

考题以下液化循环中没有节流过程的是：A、林德循环B、克劳特循环C、以上都不对

查看答案

考题动态RAM电路简单，功耗低，集成度高，存储容量大。（）

查看答案

考题 1、HEMT的首要特性是_____。A．电子迁移率高B．功耗低C．阈值电压小D．击穿电压高

查看答案

热门标签