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动态RAM电路简单，功耗低，集成度高，存储容量大。（）

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考题 甲类互补对称功率放大电路:() A、静态功耗大B、效率高C、失真小D、效率低
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考题 动态RAM与静态RAM相比，下列哪一项不是它的优点( )A．耗电少B．接口电路简单C．高集成度D．制造成本低
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考题 动态MOSRAM的优点是()A、单元电路结构简单B、单片集成度高C、功耗比静态MOSRAM低D、不需要刷新和再生操作
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考题 存储器的两个重要指标是A、速度与时延B、功耗与集成度C、容量与价格D、存储容量和存取时间
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考题 洛襄线网管复用设备采用大规模芯片,电路简单,功耗低,可靠性高。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 动态RAM的特点是()。 A.速度高于静态RAMB.不需要刷新电路C.集成度高于静态RAMD.一般用作高速缓存Cache
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考题 集成电路的发展趋势是()。 A、高集成度B、低功耗C、高可靠性D、智能化
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考题 和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是( )。A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
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考题 DRAM电路简单，集成度【 】，成本低，需要自动刷新，速度较慢。
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考题 静态存储器的功耗和集成度比动态存储器要( )。A、大、小B、大、大C、小、小D、小、大
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考题 以下对动态RAM描述正确的是() A.速度高于静态RAMB.不需要刷新电路C.集成度高于静态RAMD.一般用于存放程序代码
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考题 下面说法正确的是()。A.ROM不用刷新，但集成度比动态RAM高，但断电后存储的信息消失 B.半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆 C.静态RAM和动态RAM都是易失性存储器，断电后存储的信息消失 D.动态RAM属于非易失性存储器，而静态RAM存储的信息断电后信息消失
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考题 与动态MOS存储器相比，双极性半导体存储器的特点是（）A、速度快，功耗小B、集成度高C、速度慢D、容量大
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考题 特征尺寸越小，单位面积内的晶体管集成度越高，电路工作速度越快，功耗越小。
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考题 动态ram的特点包括（）A、集成度高，价格高B、集成度地，价格便宜C、集成度高，价格便宜D、集成度地，价格高
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考题 以下对动态RAM描述正确的是（）A、速度高于静态RAMB、不需要刷新电路C、集成度高于静态RAMD、一般用于存放程序代码
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考题 下列说法错误的是（）A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路C、CMOS集成门电路集成度高，但功耗较高D、TTL集成门电路集成度高，但功耗较低E、TTL集成门电路集成度高，但功耗较高
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考题 与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。A、速度快B、集成度高C、功耗大
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考题 DRAM的主要缺点是（）A、存储容量小B、存取速度低C、功耗大D、外围电路复杂
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考题 SRAM比DRAM电路简单，集成度高，功耗低。
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考题 下列关于RAM的说法中，错误的是（）A、DRAM芯片电路简单，集成度高，工耗小，成本低B、SRAM芯片电路复杂，集成度低，工耗大，成本高C、DRAM工作速度快，适合用作CacheD、无论是DRAM还是SRAM，当关机或断电时，其中的信息都将随之丢失
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考题 MOS电路与TTL电路相比，其主要优点是（）。A、价格便宜B、集成度高C、速度快D、功耗小
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考题 动态随机存储器DRAM利用电容器的（）来存储信息，这种过程叫（）；而静态存储器SRAM则无须动态刷新，速度快，但其集成度低、成本高、功耗大。
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考题 单选题动态存贮器的主要缺点是（ ）A 存贮容量少B 存取速度低C 功耗大D 外围电路复杂
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考题 单选题与动态MOS存储器相比，不是双极型半导体存储器的特点是（）。A 速度快B 集成度高C 功耗大
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考题 单选题以下对动态RAM描述正确的是（）A 速度高于静态RAMB 不需要刷新电路C 集成度高于静态RAMD 一般用于存放程序代码
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考题 填空题动态随机存储器DRAM利用电容器的（）来存储信息，这种过程叫（）；而静态存储器SRAM则无须动态刷新，速度快，但其集成度低、成本高、功耗大。
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考题 判断题集成电路的优点：体积大、重量重；功耗小、成本高；速度快、可靠性低。A 对B 错
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