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题目内容
（请给出正确答案）
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。
A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
E.以上都不是
参考答案
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考题
关于抑制性突触后电位的产生过程,正确的是 ( )
A、突触前轴突末梢超极化B、突触后膜对Ca2+、K+的通透性增大C、突触后膜去极化D、突触后膜电位负值增大，出现超极化E、突触后膜对K+、Na+，尤其是K+的通透性增大
考题
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
考题
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A．突触后膜对钙离子和钾离子的通透性增大B．突触后膜去极化C．突触后膜出现超极化D．突触后膜出现复极化
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