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晶核的形成有()方式。

  • A、自发形核(异质形核)
  • B、非自发形核(异质形核)
  • C、自发形核(均质形核)
  • D、非自发形核(均质形核)

参考答案

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考题 液态金属结晶的基本过程是() A.边形核边长大B.先形核后长大C.自发形核D.非自发形核

考题 自发形核

考题 非自发形核

考题 液态金属结晶的基本过程是()。A、边形核边长大B、先形核后长大C、自发形核非自发形核D、晶枝生长

考题 在凝固过程中形核的两种方式是()形核和非自发形核。

考题 只依靠液体本身在一定的过冷条件下形成的晶核过程叫做()。A、自发形核B、非自发形核C、结晶D、形核

考题 下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A、非均匀形核比均匀形核的形核率高;B、均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C、非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D、非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

考题 非均匀形核的形核功与接触角θ有关,θ角(),形核功越小,形核率越高。A、越小B、越大C、为90°D、以上都不对

考题 非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。

考题 焊缝金属,开始结晶时并不形核,而是在母材基体上()长大。A、自发形核B、非自发形核C、联生结晶D、细化晶粒

考题 在金属结晶过程中,晶核的形成有两种形式:()。且非自发形核比自发形核更重要,往往起()作用。

考题 非均匀形核时晶核与基底之间的接触角越大,其促进非均匀形核的作用越大。

考题 下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A、临界晶核的体积和表面积越小;B、形核需要的过冷度越小;C、需要的形核功越小。。

考题 名词解释题非均质形核

考题 多选题晶核的形成方式有两种,即()A喂养形成B自发形核C非自发形核

考题 多选题下述说法哪些正确?非均匀形核时,θ角越小,形核越容易。这是因为()A临界晶核的体积和表面积越小;B形核需要的过冷度越小;C需要的形核功越小。。

考题 单选题金属结晶后,其晶粒的粗细与结晶时()有关。A 形核率和形核速度B 形核速度和形核面积C 形核率和晶核长大速度D 晶粒度和晶核长大速度

考题 名词解释题自发形核

考题 问答题说明为什么异质形核比均质形核容易?影响异质形核的因素?

考题 多选题以下说法中,()说明了非均匀形核与均匀形核之间的差异。A非均匀形核所需过冷度更小B均匀形核比非均匀形核难度更大C一旦满足形核条件,均匀形核的形核率比非均匀形核更大D均匀形核试非均匀形核的一种特例E实际凝固过程中既有非均匀形核,又有均匀形核

考题 问答题简述均质形核与异质形核的异同。

考题 单选题实际金属结晶形成晶核时,主要是哪种形核方式()。A 自发形核B 非自发形核C 平面形核

考题 单选题非均匀形核的形核功与接触角θ有关,θ角(),形核功越小,形核率越高。A 越小B 越大C 为90°D 以上都不对

考题 多选题下述说法哪些正确?在相同过冷度的条件下,()A非均匀形核比均匀形核的形核率高;B均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径;C非均匀形核比均匀形核需要的形核功小;D非均匀形核比均匀形核的临界晶核体积小。

考题 名词解释题非自发形核

考题 判断题非均匀形核所需要的形核功大于均匀形核所需要的形核功。A 对B 错

考题 单选题液态金属结晶的基本过程是()。A 边形核边长大B 先形核后长大C 自发形核非自发形核D 晶枝生长