考题
下列因素中哪个与矽肺的发病直接无关A．二氧化硅含量B．结合型二氧化硅C．二氧化硅浓度D．二氧化硅分散度E．接触二氧化硅的工龄
考题
下列因素中哪个与矽肺的直接发病无关A.二氧化硅含量B.结晶型二氧化硅C.上述粉尘浓度D.上述粉尘分散度E.接触上述粉尘的工龄
考题
哪种类型的二氧化硅致纤维化作用最强A、游离二氧化硅B、结合二氧化硅C、结晶型游离二氧化硅D、隐晶型游离二氧化硅E、无定型游离二氧化硅
考题
测定二氧化硅的分析方法有（），（），（）等。
考题
说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？
考题
在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）A、干氧B、湿氧C、水汽氧化D、不能确定哪个使用的时间长
考题
干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好B、生长的二氧化硅干燥C、生长的二氧化硅结构致密D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜E、生长的二氧化硅掩蔽能力强
考题
（）的方法有利于减少热预算。A、高压氧化B、湿氧氧化C、掺氯氧化D、氢氧合成氧化E、等离子增强氧化
考题
采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。A、结晶形态B、非结晶形态C、可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的D、以上都不对
考题
干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子B、氧化的速度慢C、生长的二氧化硅缺陷多D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
考题
二氧化硅薄膜厚度的测量方法有（）。A、比色法B、双光干涉法C、椭圆偏振光法D、腐蚀法E、电容-电压法
考题
球团矿的碱度是指球团矿中（）的比值。A、二氧化硅含量与氧化钙含量B、氧化钙含量与二氧化硅含量C、二氧化硅含量与氧化镁含量D、氧化镁含量二氧化硅与含量
考题
生产氧化铝的原料有几种？铝土矿的类型有几种？我国主要是哪种矿物？及主要采用什么方法生产氧化铝？
考题
下列因素中哪个与矽肺的直接发病无关？（）A、二氧化硅含量B、结晶型二氧化硅C、上述粉尘浓度D、上述粉尘分散度E、接触上述粉尘的工龄
考题
下列何种方法制得的硫酸铝是不纯净的（）A、用纯氯化铝与硫酸反应B、用硫酸处理铝土矿C、用氢氧化铝和硫酸反应D、用偏氢氧化铝和硫酸反应
考题
问答题简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点，通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层？
考题
单选题在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）A
干氧B
湿氧C
水汽氧化
考题
判断题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于无定形二氧化硅。A
对B
错
考题
单选题半导体器件生产中所制备的二氧化硅薄膜属于（）。A
结晶形二氧化硅B
无定形二氧化硅
考题
判断题在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。A
对B
错
考题
单选题哪种二氧化硅致纤维化作用最强？（ ）A
游离二氧化硅B
结合二氧化硅C
结晶型游离二氧化硅D
无定型游离二氧化硅E
隐晶型游离二氧化硅
考题
单选题哪种类型的二氧化硅致纤维化作用最强？（ ）A
游离二氧化硅B
结合二氧化硅C
结晶型游离二氧化硅D
隐晶型游离二氧化硅E
无定型游离二氧化硅
考题
问答题说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？
考题
多选题采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层，是利用其具有的（）A高电阻率；B高化学稳定性；C低介电常数；D高介电强度。