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如果磷在二氧化硅中扩散，对扩散率影响最大的因素是：（）。

  • A、扩散剂总量
  • B、压强
  • C、温度
  • D、浓度

参考答案

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考题 影响酸洗的主要因素酸液浓度、酸液温度和酸在板带和酸洗液界面层间的扩散。
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考题 简述极谱分析中哪些因素影响扩散电流，如何控制这些因素才能使扩散电流与被测离子的浓度成正比？
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考题 浓度差是扩散推动力，溶液浓度差的大小是影响扩散过程的重要因素。（）
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考题 由于扩散过程是依靠浓度梯度而进行的，所以水中离子浓度是影响扩散速度的重要因素。（）
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考题 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）。A、600～750℃B、900～1050℃C、1100～1250℃D、950～1100℃
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考题 影响去游离过程的因素与弧柱内外的温度差、离子浓度差有关：温差大，浓度差大，易扩散。
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考题 关于温度对化学反应过程各步骤的影响，下述哪些说法正确？（）A、温度对外扩散过程的影响最大；B、温度对化学反应和扩散步骤均有影响，但对化学反应步骤的影响要比扩散大得多；C、温度对内扩散步骤的影响最大；D、温度对内扩散的影响很小
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考题 在扩散公式中dc/dx代表（）A、浓度差B、扩散速率C、扩散系数D、扩散半径E、扩散浓度
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考题 在没有（）的二元体系（即均匀混合物）中，如果各处存在温度差或总压力差，就会产生（）或压力扩散，扩散的结果会导致浓度变化并引起（）。
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考题 在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B
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考题 在相同的温度下，碳在α-Fe中的扩散比在γ-Fe中的扩散更容易，速度更快。这主要是因为：（）A、碳原子在α-Fe中固溶造成的晶格畸变更大；B、其他合金元素的影响所致；C、温度对扩散系数的影响所致。
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考题 单选题关于温度对化学反应过程各步骤的影响，下述哪些说法正确？（）A 温度对外扩散过程的影响最大；B 温度对化学反应和扩散步骤均有影响，但对化学反应步骤的影响要比扩散大得多；C 温度对内扩散步骤的影响最大；D 温度对内扩散的影响很小
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考题 判断题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件是杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数。A 对B 错
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考题 单选题根据扩散系数与温度的依赖关系，扩散活化能Q值的关系是（）A Q值越大说明温度对扩散系数的影响越敏感B Q值越小说明温度对扩散系数的影响越敏感C Q值大小与温度对扩散系数的影响无关D 其他
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考题 单选题关于影响扩散管扩散速率的因素，叙述错误的是（）。A 温度升高，扩散率增加B 扩散毛细管内径增加，扩散率增加C 扩散毛细管长度增加，扩散率增加D 管内液体量对扩散率无影响
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考题 单选题影响不均匀体系反应的主要因素是（）。A 温度B 接触面积和扩散作用C 浓度
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考题 判断题影响去游离过程的因素与弧柱内外的温度差、离子浓度差有关：温差大，浓度差大，易扩散。A 对B 错
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考题 单选题二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些（）      ①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数  ②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数  ③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度  ④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度A ②④B ①③C ①④D ②③
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考题 单选题溶液浓度的大小是影响扩散过程的重要因素，再生时离子交换速度受（）所控制。A 膜扩散B 孔道扩散C 表面扩散
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考题 判断题浓度差是扩散推动力，溶液浓度差的大小是影响扩散过程的重要因素。（）A 对B 错
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