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某一吸收系统，若1/ky》1/kx，则为气膜控制，若1/ky《1/kx，则为液膜控制。（）

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考题 试用十六进制数写出如下存储器的最高地址。(1) 2Kx4 (2) 32Kx 8 (3) 512Kx 16 (4) 1Mx 8
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考题 已知：关于x的方程2x2+kx-1=0（1）求证：方程有两个不相等的实数根；（2）若方程的一个根是-1，求另一个根及k值
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考题 某低浓度气体溶质被吸收时的平衡关系服从亨利定律，且kY=3×10-5kmol/（m2•s），kx=8×10-5kmol/（m2•s），m=0.36，则该过程是：（）。A、气膜阻力控制B、液膜阻力控制C、气、液两膜阻力均不可忽略D、无法判断
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考题 相平衡常数m=1，气膜吸收系数ky=1×10-4Kmol/（m2.s），液膜吸收系数kx的值为ky的100倍，这一吸收过程为（）控制，该气体为（）溶气体，气相总吸收系数KY=（）Kmol/（m2.s）。
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考题 对非液膜控制的系统，气体流量越大，则气相总传质系数Ky（），气相总传质单元高度HOG（）。
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考题 若1个人吃早、中、晚三餐为1个人日；若只吃早餐则为2个人日。
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考题 按双膜理论，吸氨过程为气膜控制，吸CO2过程为液膜控制，综合吸收速度取决于（）控制。A、气膜B、液膜C、气膜和液膜都能控制D、无法判断
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考题 当吸收质溶解度适中时，吸收过程属于（）A、气、液膜同时控制B、气膜控制C、液膜控制D、温度控制
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考题 某吸收过程，已知气膜吸收系数kY为4×l0-4kmol／（m2.s），液膜吸收系数kx为8kmol／（m2.s），由此可判断该过程为（）。A、气膜控制B、液膜控制C、判断依据不足D、双膜控制
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考题 某离子最外层电子排布为3s23p6，若该离子为+1价离子，则为（），若为－1价离子，则为Cl。
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考题 若亨利系数E值很大，依据双膜理论，则可判断过程的吸收速率控制由（）。A、气膜B、液膜C、双膜D、液相主体
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考题 若亨利系数E值很小，依据双膜理论，则可判断吸收过程的速率由下列哪项控制（）。A、液相主体B、液膜C、双膜D、气膜
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考题 若亨利系数E值很大，依据双膜理论，则可判断吸收过程的速率为（）控制A、气膜B、液膜C、双膜D、不确定
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考题 单相桥式整流电路中，若输入电压V2=30V，则输出电压Vo=（）V35.在反馈电路中，若|1+AF|1，则为（）反馈；若|1+AF|1，则为（）反馈。
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考题 下列平衡常数中，量纲为1的是：（）A、Kf，Kp，KB、Kx，Kp，KC、Kc，Ka，KxD、Kpθ，Ka，Kx
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考题 单选题若亨利系数E值很大，依据双膜理论，则可判断过程的吸收速率控制由（）A 气膜B 液膜C 双膜D 液相主体
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考题 单选题直线y＝kx＋b（k≠0），关于直线x＋y＝0对称的直线方程为（　　）．A x＋ky＋b＝0B x＋ky－b＝0C x－ky－b＝0D x－ky＋b＝0
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考题 填空题总吸收速率方程式中KY是以（）为气相摩尔比差为传质推动力的气相总传质系数；而KX是以（）为液相摩尔比差为传质推动力的液相总传质系数。
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考题 填空题当平衡线在所涉及的范围内是斜率为m的直线时，则1/Ky=1/ky+（）1/kx。
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考题 单选题若享利系数E值很大，依据双膜理论，则可判断过程的吸收速率为（）控制。A 气膜B 液膜C 双膜D 无法判断
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考题 单选题某吸收过程，已知气膜吸收系数kY为2kmol/（m2.h），液膜吸收系数kX为4kmol/（m2.h），由此判断该过程为（）。A 气膜控制B 液膜控制C 不能确定D 双膜控制
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考题 单选题低浓气体吸收中，已知平衡关系y=2x，ky=0.2kmol/m2.s，kx=2×10-4kmol/m2.s，则此体系属（）。A 气膜B 液膜C 气、液双膜
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考题 单选题在常压塔中用水吸收二氧化碳，ky和kx分别为气相和液相传质分系数，Ky为气相传质总系数，m为相平衡常数，则（）。A 为气膜控制且Ky≈kyB 为液膜控制且Ky≈kxC 为气膜控制且Ky≈kx/mD 为液膜控制且Ky≈kx/m
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考题 填空题用△y， △x为推动力的传质速率方程中，当平衡线为直线时传质总系数Ky与分系数ky、kx的关系式为（），Kx与ky、kx的关系式为（）。
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考题 填空题在吸收塔某处，气相主体浓度y=0.025，液相主体浓度x=0.01，气相传质分系数ky=2kmol/（m2·h）， 气相总传质系数Ky=1.5kmol/（m2·h），若平衡关系y=0.5x，则该处气液界面上气相浓度yi应为（）。
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考题 填空题一逆流吸收过程，当填料层高度h→∞时，若A〈1，则塔内气液相在（）达到平衡；若A〉1，则塔内气液相在（）达到平衡；若A=1，则塔内气液相在（）达到平衡。
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