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半导体中空穴电流是由()

  • A、价电子填补空穴形成的
  • B、自由电子填补空穴形成的
  • C、空穴填补自由电子形成的
  • D、自由电子定向运动形成的

参考答案

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考题 自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。() 此题为判断题(对,错)。

考题 半导体中空穴电流是由( )A.价电子填补空穴所形成的B.自由电子填补空穴所形成的C.空穴填补自由电子所形成的D.自由电子定向运动所形成的

考题 半导体中空穴电流是由()。A、自由电子填补空穴所形成的B、价电子填补空穴所形成的C、自由电子定向运动所形成的D、价电子的定向运动所形成的

考题 电子导电和夺穴导电有什么区别?空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的?

考题 半导体中空穴电流是由()所形成的。A、价电子的定向运动B、自由电子填补空穴C、自由电子定向运动D、价电子填补空穴

考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。A、自由电子,空穴;扩散,飘移B、空穴,自由电子;漂移,扩散C、空穴,自由电子;扩散,漂移D、自由电子,空穴;漂移,扩散E、自由电子,空穴;扩散,扩散

考题 半导体中空穴电流是由()。A、价电子填补空穴所形成的;B、自由电子填补空穴所形成的;C、自由电子定价运动所形成的;D、价电子的定向运动所形成的.

考题 在半导体电路中所形成的电流是由两部分组成的,即自由电子与空穴,前者叫电子型导电(N),后者叫空穴型导电(P)。

考题 半导体中的载流子()。A、只有电子B、只有空穴C、只有价电子D、自由电子和空穴

考题 P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A、空穴;空穴B、空穴;自由电子C、自由电子;空穴D、自由电子;自由电子

考题 空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流,空穴的运动方向与电子的运动方向(),因此认为空穴带正电。A、相同B、相反C、有时相同D、有时相反

考题 本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是()。A、自由电子数目增加,空穴数目不变B、空穴数目增多,自由电子数目不变C、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同D、自由电子和空穴数目不变

考题 在本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 在P型半导体和N型半导体的接合部会产生一个区域,它()。A、有自由电子,没有空穴B、没有自由电子,有空穴C、有自由电子,有空穴D、没有自由电子,没有空穴

考题 本征半导体载流子()A、自由电子和空穴的浓度无法确定B、自由电子的浓度小于空穴的浓度C、自由电子的浓度大于空穴的浓度D、自由电子和空穴的浓度相等

考题 金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A、自由电子B、正、负离子C、空穴载流子D、自由电子和空穴

考题 温度升高后,在纯净的半导体中()A、自由电子和空穴数目都增多,且增量相同B、空穴增多,自由电子数目不变C、自由电子增多,空穴不变D、自由电子和空穴数目都不变

考题 PN结形成后,空间电荷区由()构成。A、价电子B、自由电子C、空穴D、杂质离子

考题 半导体中的载流子是指()A、自由电子B、空穴C、离子D、自由电子和空穴

考题 本征半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

考题 半导体中空穴电流是由()A、价电子填补空穴所形成的;B、自由电子填补空穴所形成的;C、空穴填补自由电子所形成的;D、自由电子定向运动所形成的。

考题 单选题空穴导电的实质是:相邻原子中的价电子(共价键中的束缚电子)依次填补空穴而形成电流,空穴的运动方向与电子的运动方向(),因此认为空穴带正电。A 相同B 相反C 有时相同D 有时相反

考题 单选题金属导体内的电流是由()在电场力的作用下运动而形成的。A 自由电子B 正、负离子C 空穴载流子D 自由电子和空穴

考题 判断题自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。A 对B 错

考题 单选题N型半导体()A 自由电子和空穴的浓度相等B 自由电子的浓度小于空穴的浓度C 自由电子的浓度大于空穴的浓度D 自由电子和空穴的浓度无法确定

考题 单选题P型半导体中,主要依靠()导电,()是少数载流子。A 空穴;空穴B 空穴;自由电子C 自由电子;空穴D 自由电子;自由电子

考题 单选题本征半导体载流子()A 自由电子和空穴的浓度无法确定B 自由电子的浓度小于空穴的浓度C 自由电子的浓度大于空穴的浓度D 自由电子和空穴的浓度相等