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半导体中空穴电流是由（）。

  • A、自由电子填补空穴所形成的
  • B、价电子填补空穴所形成的
  • C、自由电子定向运动所形成的
  • D、价电子的定向运动所形成的

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考题 半导体中的空穴电流是由于价电子递补空穴而产生的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在P型半导体中,()为多数载流子。在N型半导体中,()为多数载流子。 A、空穴，空穴B、空穴，电子C、电子，电子D、电子，空穴
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考题 在外加电压的作用下,P 型半导体中的电流主要是(),N 型半导体中的电流主要是()。 A.电子电流,空穴电流B. 空穴电流,电子电流C. 电子电流,电子电流D. 空穴电流,空穴电流
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考题 在半导体电路中所形成的电流是由两部分组成的,即自由电子与空穴,前者叫电子型导电(N),后者叫空穴型导电(P)。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 半导体中空穴电流是由( )A.价电子填补空穴所形成的B.自由电子填补空穴所形成的C.空穴填补自由电子所形成的D.自由电子定向运动所形成的
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考题 P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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考题 半导体中空穴电流是由（）所形成的。A、价电子的定向运动B、自由电子填补空穴C、自由电子定向运动D、价电子填补空穴
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考题 本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
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考题 半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴形成的B、自由电子填补空穴形成的C、空穴填补自由电子形成的D、自由电子定向运动形成的
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考题 在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是：（）A、空穴电流B、自由电子电流C、离子电流D、A或B
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考题 半导体中空穴电流是由（）A、自由电子填补空穴所形成的B、价电子填补空穴所形成的C、自由电子定向运动所形成的D、价电子的定向运动所形成的
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考题 在外电场的作用下半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（）
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 在半导体中由（）导电。A、电子B、空穴C、电子和空穴D、原子
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考题 N型半导体导电是从（）导电为主。A、电子B、空穴C、电压D、电流
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考题 在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。
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考题 在本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 本征半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。
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考题 在外加电压的作用下，P型半导体中的电流主要是（）A、电子电流B、空穴电流C、电子电流和空穴电流D、离子
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考题 半导体中空穴电流是由（）A、价电子填补空穴所形成的；B、自由电子填补空穴所形成的；C、空穴填补自由电子所形成的；D、自由电子定向运动所形成的。
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考题 半导体的电流是电子流和空穴流之和，总是呈（）的。
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考题 在半导体中，靠空穴导电的半导体称（）型半导体。
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考题 半导体中的电流是电子电流和空穴电流之和。
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考题 半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
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考题 P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
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考题 单选题在半导体两端加上外电压时，半导体中出现的电流是：（）A 空穴电流B 自由电子电流C 离子电流D A或B
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考题 单选题N型半导体的多数载流子是（）。A 电子B 电流C 空穴D 电荷
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