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硅橡胶的憎水性检测时，选择停电设备的一相瓷瓶或一只复合绝缘子做测试点，取该串绝缘子（支柱瓷瓶、套管、绝缘子等）的（）做检测。

  • A、基座（低压侧）第二片
  • B、中间一片
  • C、导线侧（高压侧）第二片做检测
  • D、高压侧第一片

参考答案

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考题 121、中重污区的外绝缘配置宜采用硅橡胶类防污闪产品，不包括（ ）。 A、线路复合绝缘子B、线路横担C、复合套管D、瓷绝缘子
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考题 1.母线及绝缘子全面巡视应在例行巡视基础上增加的内容包括( )。 A检查绝缘子表面积污情况 B支柱瓷瓶及硅橡胶增爬伞裙表面清洁、无裂纹及放电痕迹 C支柱绝缘子无倾斜 D支柱绝缘子结合处涂抹的防水胶无脱落现象，水泥胶装面完好。
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考题 母线及绝缘子全面巡视应在例行巡视基础上增加的内容包括()。检查绝缘子表面积污情况。$;$支柱瓷瓶及硅橡胶增爬伞裙表面清洁、无裂纹及放电痕迹。$;$支柱绝缘子无倾斜。$;$支柱绝缘子结合处涂抹的防水胶无脱落现象，水泥胶装面完好。
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考题 与瓷或玻璃绝缘子相比，硅橡胶复合绝缘子的优点是（ ）。A.耐污闪 B.运行维护费用低 C.耐湿闪 D.有用于高电压等级优势
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考题 断路器出现（）异常应停电处理。A、严重漏油，油标管中已无油位；B、支持瓷瓶断裂或套管炸裂；C、连接处过热变红色或烧红；D、绝缘子严重放电。
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考题 依据《污秽条件下使用的高压绝缘子的选择和尺寸确定》，复合绝缘子长期处于（）环境下，导致憎水性丧失。A、低温低湿B、低温高湿C、高温低湿D、高温高湿
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考题 与瓷或玻璃绝缘子相比，硅橡胶复合绝缘子的优点是（）。A、耐污闪；B、运行维护费用低；C、耐湿闪；D、有用于高电压等级优势。
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考题 污秽地区输电线路外绝缘宜优先选择下列哪些绝缘子？（）A、钟罩式玻璃绝缘子B、普通瓷瓶C、耐污型瓷瓶D、合成绝缘子
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考题 直流场绝缘子选型原则是设备绝缘子瓷涂RTV或复合绝缘型式，±800kV支柱绝缘子采用采用复合外绝缘结构。
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考题 输电架空线路绝缘子串中，绝缘子发生（）缺陷应予以更换A、绝缘子损坏或裂纹B、绝缘子有闪络放电现象C、绝缘子表面污秽D、零值瓷瓶或低值瓷瓶E、绝缘子金属部分严重锈蚀
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考题 以下复合绝缘子检查项目直流分压器和直流分流器不相同的是（）A、若安装有辅助衫裙，应检查其无老化、开裂、变形等B、观察硅橡胶伞套表面是否存在龟裂、粉化、蚀损，外观颜色变化情况C、采用喷水分级法（HC）检查硅橡胶伞套不同部位的憎水性D、检查硅橡胶伞套不同部位的硬度变化情况
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考题 高压支柱瓷绝缘子涂敷RTV涂料的瓷外套（）应良好，涂层不应有缺损、起皮、龟裂现象。A、憎水性；B、防水性；C、集水性；D、憎油性；
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考题 中重污区的外绝缘配置宜采用硅橡胶类防污闪产品，主要包括（）A、线路复合绝缘子B、支柱复合绝缘子C、复合套管D、瓷绝缘子和玻璃绝缘子表面喷涂防污闪涂料等
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考题 所有通过跨线桥、隧道的两侧接触网绝缘子为（），并加装氧化锌避雷器。A、瓷质绝缘子B、硅橡胶绝缘子C、复合绝缘子D、悬式绝缘子
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考题 每年应对喷涂了RTV的直流场设备绝缘子进行憎水性检查，及时对破损或失效的涂层进行重新喷涂。若复合绝缘子或喷涂了RTV的瓷绝缘子的憎水性下降到（）级，宜考虑重新喷涂。A、1；B、2；C、3；D、4。
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考题 复合硅橡胶外绝缘层进行噌水性试验目的考察绝缘性能
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考题 复合绝缘子外观及憎水性检查采取抽检方式，结合停电时进行登杆检查，周期一般为（）年。A、2B、3C、5D、6
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考题 中重污区的外绝缘配置宜采用硅橡胶类防污闪产品，不包括（）。A、线路复合绝缘子B、线路横担C、复合套管D、瓷绝缘子涂RTV
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考题 有机复合绝缘子由硅橡胶整体制成，从而构成了一个整体耐压层，所以，其污闪电压是瓷绝缘子的6~7倍。
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考题 绝缘子零值检测时待测绝缘子要求（）。A、绝缘子所连接设备处于停电状态B、绝缘子外观清洁C、绝缘子无各种外部作业D、绝缘子表面无异常
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考题 硅橡胶憎水性检测时，喷壶每次喷水量多少比较合格（）。A、0.6mlB、0.7mlC、0.8mlD、0.9ml
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考题 关于设备外绝缘及绝缘子憎水性试验，说法正确的是（）。A、适用于复合绝缘子和室温硫化硅橡胶涂层B、不适用于复合绝缘子C、检测方法和判据可参见DL/T864，不符合要求时应进行复涂D、1000kV变电站：每站每个厂家的每批涂料产品均选择一个设备作为测量点
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考题 硅橡胶的憎水性检测时，憎水性分级值（HC值）应在喷水结束后（）s内读取。A、10B、20C、30D、40
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考题 硅橡胶的憎水性检测时，喷水装置的喷嘴距试品（）cm。A、20B、25C、30D、35
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考题 硅橡胶憎水性评估时，待测设备表面应（）。A、干燥B、潮湿C、清洁D、不破损
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考题 超声探伤和复合绝缘子和室温硫化硅橡胶涂层的状态评估属于变（）诊断性试验项目。
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考题 影响复合绝缘子憎水性的因素有（）。A、制造工艺B、硅橡胶老化C、污染物的积累D、复合绝缘子中低分子流失
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