考题
三极管工作在放大状态时,它的两个PN结必须是()
A、发射结和集电结同时正偏B、发射结和集电结同时反偏C、集电结正偏，发射结反偏D、集电结反偏，发射结正偏
考题
耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以正偏、零偏或反偏
考题
PN结正偏时导通,反偏时截止,所以PN结具有单向导电性。()
此题为判断题(对，错)。
考题
PN结正偏时，正向电流（），相当于PN结（）。A.较小；导通
B.较大；导通
C.较小；截止
D.较大；截止
考题
PN结正偏的特性是（）。A.正偏电阻小、正偏电流大
B.正偏电阻大、正偏电流小
C.正偏电阻小、正偏电流小
D.正偏电阻大、正偏电流大
考题
稳压管的稳压性能是利用（ ）实现的。A.PN结的单向导电性
B.PN结的反向击穿特性
C.PN结的正向导通特性
D.PN工艺特性
考题
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的反向击穿特性B、PN结的单向导电特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性
考题
PN结正偏的特性是（）。A、正偏电阻小、正偏电流大B、正偏电阻大、正偏电流大C、正偏电阻小、正偏电流小D、正偏电阻大、正偏电流小
考题
三极管工作在放大状态时，PN结的偏置状态是（）。A、发射结、集电结皆正偏B、发射结、集电结皆反偏C、发射结正偏，集电结反偏D、发射结反偏，集电结正偏
考题
PN结正偏时，有利于（）载流子的运动，阻碍（）载流子的运行。
考题
PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。
考题
PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
考题
对于结型场效应管，栅源极之间的PN结（）A、必须正偏B、必须零偏C、必须反偏D、可以任意偏置
考题
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。
考题
和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变（）；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变（）
考题
晶体三极管工作在饱和状态时，其两个PN结的偏置状态是（）A、发射结正偏，集电结正偏B、发射结正偏，集电结反偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏
考题
使PN结正偏的方法是：将P区接（）电位，N区接（）电位。正偏时PN结处于（）状态，反偏时PN结处于（）状态。
考题
两个PN结均为正偏时，晶体管工作在饱和状态；两个PN结均为反偏时，晶体管工作在截止状态。
考题
PN结具有（）特性。A、正偏B、反偏C、单向D、双向
考题
填空题PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。
考题
单选题三极管工作在放大状态时，它的两个PN结必须是（）。A
发射结和集电结同时反偏B
发射结正偏，集电结反偏C
发射结和集电结同时正偏D
发射结反偏，集电结正偏
考题
问答题简述PN结光伏效应（分正偏、反偏、零偏三种情况）。
考题
填空题PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。