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一般对相位闭合差要求是满足()(△t为闭合差,T*为该反射层反射波视周期)
- A、△t≤T*/3
- B、△t≤T*/2
- C、△t≤T*
- D、△t≥T*
参考答案
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考题
图示电路在t=0时开关闭合,t≥0时uC(t)为:
A. -100(1-e-100t)V B. (-50+50e-50t)V C. -100e-100tV D. -50(1-e-100t)V
考题
如图所示电路中,开关S闭合前电路为稳态,t=0时开关S闭合,则t 0时电容电压uc(t)为( )。
A.3(1+e-10t)V B.5(1 + e-10t)V C.5(1-e-10t)V D.3(1-e-10t)V
考题
一振幅为A、周期为T、波长为λ平面简谐波沿x负向传播,在x=λ/2处,t=T/4时振动相位为π,则此平面简谐波的波动方程为:
A. y = Acos(2πt/T-2πx/λ-π/2)
E. y = Acos(2πt/T+2πx/λ+π/2)
C. y = Acos(2πt/T+2πx/λ-π/2)
D. y = Acos(2πt/T-2πx/λ+π/2)
考题
图示电路中,开关S闭合前电路已经处于稳态,当t=0时,S闭合,S闭合后的uC(t)是( )。
A. uC(t)=(-6-24e-1000t)V
B. uC(t)=(-6-24e-500t)V
C. uC(t)=(30-24e-1000t)V
D. uC(t)=(30-24e-500t)V
考题
电路如图所示,电容初始电压为零,开关在t=0时闭合,则t≥0时u(t)为( )。
A.(1-e~-0.5t)V
B.(1+e~-0.5t)V
C.(1-e~-2t)V
D.(1+e~-2t)V
考题
图示电路在t=0时开关闭合,t≥0时uC(t)为:
A. -100(1-e-100t)V
B. (-50+50e-50t)V
C. -100e-100tV
D. -50(1-e-100t)V
考题
对于二维稳态导热过程,如果物性参数为常数,t1、t2、t3和t4分别为四周四点温度,t5为中心节点温度,则均匀网格有限差分的内部节点方程()A、t1+t2+t3+t4-t5=0;B、t1+t2+t3+t4-4t5=0;C、t1+t2+t3+t4-6t5=0;D、t1+t2+t3+t4-2t5=0
考题
一振幅为A、周期为T、波长为λ平面简谐波沿X负向传播,在X=(1/2)λ处,t=T/4时振动相位为π,则此平面简谐波的波动方程为:()A、y=Acos(2πt/T-2πx/λ-1/2π)B、y=Acos(2πt/T+2πx/λ+1/2π)C、y=Acos(2πt/T+2πx/λ-1/2π)D、y=Acos(2πt/T-2πx/λ+1/2π)
考题
已知测点下桩长为L,入射波峰值时刻为t1,桩底反射波到时为t2,则桩身平均波速c为()A、c=L/t2B、c=L/(t2-t1)C、c=L×(t2-t1)/2D、c=2×L/(t2-t1)
考题
已知桩身平均波速为c,入射波峰值时刻为t1,缺陷反射波到时为t2,则桩身缺陷位置x为()A、x=c×(t2-t1)B、x=c×(t2+t1)C、x=c×(t2-t1)/2D、x=c×(t2+t1)/2
考题
单选题一振幅为A、周期为T、波长为λ平面简谐波沿X负向传播,在X=(1/2)λ处,t=T/4时振动相位为π,则此平面简谐波的波动方程为:()A
y=Acos(2πt/T-2πx/λ-1/2π)B
y=Acos(2πt/T+2πx/λ+1/2π)C
y=Acos(2πt/T+2πx/λ-1/2π)D
y=Acos(2πt/T-2πx/λ+1/2π)
考题
单选题反馈式正弦波振荡器的相位平衡条件和振幅起振条件为().A
φT(ω)=2nл,T(jω)=1B
φT(ω)=0,T(jω)=1C
φT(ω)=2nл,T(jω)1D
φT(ω)=0,T(jω)=0
考题
单选题已知桩身平均波速为c,入射波峰值时刻为t1,缺陷反射波到时为t2,则桩身缺陷位置x为()A
x=c×(t2-t1)B
x=c×(t2+t1)C
x=c×(t2-t1)/2D
x=c×(t2+t1)/2
考题
单选题已知测点下桩长为L,入射波峰值时刻为t1,桩底反射波到时为t2,则桩身平均波速c为()A
c=L/t2B
c=L/(t2-t1)C
c=L×(t2-t1)/2D
c=2×L/(t2-t1)
考题
单选题对于二维稳态导热过程,如果物性参数为常数,t1、t2、t3和t4分别为四周四点温度,t5为中心节点温度,则均匀网格有限差分的内部节点方程()A
t1+t2+t3+t4-t5=0;B
t1+t2+t3+t4-4t5=0;C
t1+t2+t3+t4-6t5=0;D
t1+t2+t3+t4-2t5=0
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