考题
下列选项是门极可关断晶闸管的标识的是()。
A.FSTB.TRIACC.RCTD.GTO
考题
IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
考题
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
考题
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
考题
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
考题
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
考题
可关断晶闸管GTO的门极电路由（）组成。A、门极开通电路B、门极关断电路C、门极反偏电路D、RCD吸收电路
考题
门极关断晶闸管GTO工作频率不高，关断控制容易失败。
考题
绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
考题
MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
考题
可关断晶闸管简称为（）。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、IGBT
考题
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
考题
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
考题
可关断晶闸管的文字符号是（）A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT
考题
试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
考题
简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
考题
门极关断晶闸管（GTO）与普通晶闸管相似，但结构上把阴极宽度减薄并采用台式结构，因而通过在门极加反压就能关断，但是GTO晶闸管还存在哪些问题？
考题
填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
考题
问答题门极关断晶闸管（GTO）与普通晶闸管相似，但结构上把阴极宽度减薄并采用台式结构，因而通过在门极加反压就能关断，但是GTO晶闸管还存在哪些问题？
考题
单选题可关断晶闸管的英语缩写是（）。A
“IGBT”B
“BJT”C
“GTO”D
“MOSFET”
考题
填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
考题
问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
考题
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A
GTO和GTR；B
TRIAC和IGBT；C
MOSFET和IGBT；D
SCR和MOSFET；
考题
问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。
考题
单选题绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是（）。A
“IGBT”B
“BJT”C
“GTO”D
“MOSFET”
考题
问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
考题
判断题门极关断晶闸管GTO工作频率不高，关断控制容易失败。A
对B
错