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在布线时，将低电平与高电平信号线隔离开的目的是（）
- A、容易区分
- B、便于维修
- C、减小线间干扰
- D、供电方便
参考答案
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考题
8086微处理器在最小模式下执行输出操作时，下列哪一个选项所描述的状态是正确的?______A．RD低电平，WR高电平，M／IO高电平B．RD高电平，WR低电平，M／IO高电平C．RD低电平，WR高电平，M／IO低电平D．RD高电平，WR低电平，M／IO低电平
考题
8086微处理器在最小模式下执行输出操作叫，下列( )所描述的状态是正确的。A．RD低电平，WR高电平，M/IO高电平B．RD高电平，WR低电平，M/lO高电平C．RD低电子，WR高电平，M/IO低电平D．RD高电平，WR低电平，M/IO低电平
考题
8086微处理器在最小模式下执行输出操作时，下列( )所描述的状态是正确的。A．RD低电平，WR高电平，M/IO高电平B．RD高屯子，WR低电平，M/IO高电平C．RD低电子，WR高电平，M/IO低电平D．RD高电平，WR低电平，M/IO低电平
考题
在监视回答编码脉冲间隔时，在同步间隔存在期间，使用可预置的减计数器监视时钟计数，当同步间隔脉冲结束时，10微秒和1微秒的减计数器的借位（CT）输出分别为（）时，说明间隔在公差范围之内。A、0（低电平）和0（低电平）B、0（低电平）和1（高电平）C、1（高电平）和0（低电平）D、1（高电平）和1（高电平）
考题
INTEL 8088 CPU可以访问的存储器空间可达1M，使用的地址信号线为A19～A0，CPU执行一次存储器读操作时，有效控制信号是（）。A、RD低电平，WR三态，M/IO低电平B、RD三态，WR低电平，M/IO高电平C、RD低电平，WR高电平，M/IO高电平D、RD高电平，WR低电平，M/IO高电平
考题
供电电压相同时，CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为（）A、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平低B、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平高C、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平低D、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平高
考题
8086执行OUTDX，AL指令时其引脚（）。A、M／IO输出高电平、WR输出高电平B、M／iO输出低电平，RD输出低电平C、M／IO输出低电平、WR输出低电平D、M／IO输出高电平、RD输出高电平
考题
51单片机执行MOVX写指令时，相关的信号状态是（）。A、PSEN无效为低电平，WR有效为低电平B、PSEN无效为高电平，WR有效为低电平C、PSEN有效为低电平，WR无效为高电平D、PSEN有效为高电平，WR无效为高电平
考题
JT－C车载设备主机提供过绝缘节信息JY，载频为：750Hz、850Hz时JY信息为；载频为1700Hz、2000Hz时JY信息为；以下哪种组合满足题目要求（）。A、高电平，低电平B、高电平，高电平C、低电平，高电平D、低电平，低电平
考题
单选题供电电压相同时，CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为（）A
CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平低B
CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高，低电平比TTL输出的低电平高C
CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平低D
CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低，低电平比TTL输出的低电平高
考题
单选题在电/气转换器中，若转速给定电压信号所转换成的气压信号P0与该P0经P/U转换器转换成的电压信号比相等时，触发器T1和T2的状态是（）。A
低电平，高电平B
低电平，低电平C
高电平，低电平D
高电平，高电平
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