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在结晶过程中为制的大颗粒的结晶,过饱和度应控制在()内。

  • A、稳定区
  • B、介稳区
  • C、不稳定区

参考答案

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考题 在冷却结晶中,为了维持结晶过程中的过饱和度,降温速率的变化一般为() A、越来越慢B、保持不变C、越来越快D、先保持不变,而后越来越慢

考题 在抗溶结晶中,为了维持结晶过程中的过饱和度,抗溶剂的添加速率() A、保持恒定B、越来越快C、越来越慢D、先快后慢

考题 为降低能源消耗,再结晶退火时,温度应尽可能( )。A.控制的低些B.控制在Ac1、Accm以上30~50℃C.控制在再结晶温度以上尽可能低D.控制在300℃以下

考题 结晶器钢水液面应控制在距上口()。

考题 整个结晶过程都必须将过饱和度控制在( )内。A.不稳区B.稳定区C.亚稳区D.成核区

考题 对于含结晶水矿物的岩石含水率试验温度应控制在65℃±5℃。()

考题 何为过饱和度?它在结晶过程中有何作用?

考题 在我国海盐生产工艺生产流程为()A、纳潮→制卤→堆坨→结晶B、纳潮→制卤→结晶→堆坨C、堆坨→制卤→纳潮→结晶D、制卤→纳潮→堆坨→结晶

考题 下面温度对晶体形成的影响,说法不正确的是()。A、低温可使溶质溶解度降低,有利于溶质的饱和B、生化物质的结晶温度一般控制在0~20℃C、温度过低时,由于溶液粘度增大会使结晶速度变慢D、通过降温促使结晶时,降温快,则结晶颗粒大

考题 制碱塔内,在结晶过程中,为制的大颗粒的结晶,过饱和度应控制在()内。A、稳定区B、介稳区C、不稳区D、冷却段

考题 在结晶操作中,若溶液过饱和度大,冷却速度快,强烈的搅拌,得到的晶体颗粒()A、大B、小C、适中D、参差不齐

考题 绝热蒸发结晶器中如果晶体的颗粒有大有小,则在结晶过程中两种晶体会()。A、同时长大B、小晶体长大,大晶体减小C、大晶体长大,小晶体减小D、同时缩小

考题 为降低能源消耗,再结晶退火时,温度应尽可能的是()。A、控制的低些B、控制在Ac1、Accm以上30~50℃C、控制在再结晶温度以上尽可能低D、控制在300℃以下

考题 结晶器与弯曲段的接弧精度应控制在0.35mm范围内,有利于控制角裂的形成。

考题 为降低能源消耗,再结晶退火时,温度应尽可能()。A、控制的低些B、控制在Ac1、Accm以上30~50℃C、控制在再结晶温度以上尽可能低D、控制在300℃以下

考题 结晶裂纹是在焊缝结晶过程中产生的。

考题 在结晶操作中,若溶液过饱和度大,冷却速度快,强烈地搅拌,得到的晶体颗粒()A、大B、小C、适中D、参差不齐

考题 在结晶操作中,加入晶种粒子大,长出的结晶颗粒()A、也大B、小C、适中D、参差不齐

考题 在结晶操作中,下列措施有利于晶体颗粒大而少的产品的是()。A、增大过饱和度B、迅速降温C、强烈搅拌D、加入少量晶种

考题 整个结晶过程都必须将过饱和度控制在()内。A、不稳区B、稳定区C、亚稳区D、成核区

考题 根据结晶动力学理论,结晶溶液过饱和度高,结晶速率越快,在工业结晶操作时,应选择()的最高过饱和度。A、不影响结晶密度(质量)B、结晶成核速率C、结晶生长速率D、不易产生晶垢

考题 结晶时,若要获得颗粒少但是粒度大的晶体,应该控制溶液在()结晶A、不稳定区B、稳定区C、介稳区D、饱和曲线上

考题 在熔池结晶过程中,沿各个方向均匀长大的颗粒晶体称为()。

考题 判断题溶质结晶过程中,只有过饱和度形成时才能发生结晶。A 对B 错

考题 多选题按照溶液产生过饱和度的不同,溶液结晶分为()A冷却结晶B蒸发结晶C溶析结晶D反应结晶E高压结晶

考题 多选题根据结晶动力学理论,结晶溶液过饱和度高,结晶速率越快,在工业结晶操作时,应选择()的最高过饱和度。A不影响结晶密度(质量)B结晶成核速率C结晶生长速率D不易产生晶垢

考题 单选题在冷却结晶中,为了维持结晶过程中的过饱和度,主要要控制()A 药物溶解度B 结晶时间C 晶种粒径D 降温速率