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互补金属氧化物半导体

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考题 对于金属氧化物,下列条件中()能形成n型半导体。 A、掺杂低价金属离子B、氧缺位C、引入电负性大的原子D、高价离子同晶取代
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考题 金属氧化物在常温下是绝缘的,制成半导体后却显示气敏特性。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 CPD是()的简称。 A、电荷耦合器件B、金属氧化物半导体C、电荷引动元件D、其他
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考题 半导体的催化剂为()催化剂。 A、金属B、金属氧化物和硫化物C、盐类D、酸性
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考题 半导体湿度传感器可以分为()。A、元素半导体湿敏器件B、金属氧化物半导体湿敏器件C、多功能半导体陶瓷湿度传感器D、MOSFET湿敏器件E、结型湿敏器件
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考题 TTL电路是晶体管£­晶体管逻辑电路,它由NPN或PNP型晶体管组成,CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路,由绝缘栅场效应管组成。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 下列关于BIOS与COMS说法错误的是()。 A.BIOS实际上是被固化到主板ROM芯片的一组程序B.COMS是互补金属氧化物半导体的缩写C.BIOS负责开机时对系统各个硬件进行初始化设置和测试D.COMS系统掉电后其信息会丢失
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考题 把金属氧化物陶瓷半导体材料，经成形、烧结等工艺制成的测温元件叫做（）。
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考题 碱性氧化物一定是（）。A、金属氧化物B、两性氧化物C、非金属氧化物D、酸性氧化物
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考题 BIOS全称是（）A、不间断供电系统B、基本输入输出系统C、金属互补氧化物半导体存储器D、加电自检
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考题 关于CMOS的说法正确的是（）A、互补金属氧化物半导体”，英文全称Complementary Metal Oxide Semiconductor.是目前为绝大多数电脑所使用的一种用电池供电的RAM（Random Access Memory随机存储器）B、高级配置和电源管理接口C、电源的标准D、AMIBIOS为历史最悠久的BIOS（基本输入/输出系统）芯片之一
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考题 压敏电阻它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对（）十分敏感。
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考题 MAC地址位于何处（）A、收发器B、计算机的基本输入输出系统（BIOS）C、网络接口卡（NIC.D、互补金属氧化物半导体（CMOS）
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考题 TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
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考题 由（）组成的集成电路简称CMOS电路。A、金属B、氧化物C、半导体场效应管D、磁性物
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考题 半导体氧化物的特点？
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考题 下列说法正确的是（）。A、酸性氧化物一定是非金属氧化物B、碱性氧化物一定是金属氧化物C、非金属氧化物一定是酸性氧化物D、金属氧化物一定是碱性氧化物
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考题 半导体热敏电阻的材料大多数是（）。A、金属B、非金属C、金属氧化物D、碳
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考题 半导体热敏电阻材料大多数是（）。A、金属B、非金属C、金属氧化物D、碳
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考题 互补金属氧化物半导体随机存储器
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考题 构成场效应管的材料不包含（）.A、金属B、氧化物C、超导体D、半导体
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考题 金属是半导体。
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考题 MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；A、具有非常高的输入电阻；B、具有非常小的输入电阻；C、具有单向导通特性；
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考题 下列关于BIOS与COMS说法错误的是（）。A、BIOS实际上是被固化到主板ROM芯片的一组程序B、COMS是互补金属氧化物半导体的缩写C、BIOS负责开机时对系统各个硬件进行初始化设置和测试D、COMS系统掉电后其信息会丢失
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考题 CMOS门电路中的M是指（）。A、互补B、氧化物C、金属D、半导体
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考题 单选题利用金属氧化物标准生成△G与该金属氧化物稳定性的关系是（）A 金属氧化物标准生成△G负值越大，该金属氧化物稳定性越低B 金属氧化物标准生成△G负值越大，该金属氧化物稳定性越高C 金属氧化物标准生成△G与该金属氧化物稳定性越没有关系D 其他
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考题 单选题MAC地址位于何处（）A 收发器B 计算机的基本输入输出系统（BIOS）C 网络接口卡（NIC.D 互补金属氧化物半导体（CMOS）
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