压敏电阻它是以ZnO为主要成分的金属氧化物半导体非线性电阻，当作用在其两端的电压达到一定数值后，电阻对（）十分敏感。

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考题 ()的基本工作原理是基于压阻效应。 A、金属应变片B、半导体应变片C、压敏电阻D、光敏电阻

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考题常用的浪涌抑制器件包括()。 A、气体放电管B、硅雪崩二极管C、金属氧化物压敏电阻D、以上全对

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考题金属氧化物避雷器主要组成元件为金属氧化物非线性电阻片。

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考题压敏电阻具有非线性伏安特性，当电压超过转折电压时，其阻值增大。

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考题下列哪种情况可以判断C级防雷器中压敏电阻已损坏？（）A、压敏电阻窗口变绿B、压敏电阻窗口变红C、用万用表测量压敏电阻片两金属端电阻非常大D、监控模块显示防雷器故障

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考题 ZnO压敏电阻片的全电压—电流特性曲线可划分为哪几个区段：（）。A、小电流区B、中电流区C、截止区D、大电流区

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考题对于ZnO压敏电阻的劣化预防，可以采用（）的方法进行处理。A、机械保护B、热学处理C、化学处理D、合理设计

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考题下列对压敏电阻的描述不正确的是（）。A、压敏电阻自身寄生电容较小B、压敏电阻动作响应速度快C、压敏电阻通流容易比较大D、压敏电阻特性非线性程度高

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考题 ZnO压敏电阻的失效模式有（）。A、电气击穿B、过期老化C、机械破坏D、热破坏

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考题半导体热敏电阻的材料大多数是（）。A、金属B、非金属C、金属氧化物D、碳

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考题电涌器的实质为半导体压敏电阻器件，电阻大小依赖于电涌器的（）。A、额定电压B、端电压C、击穿电压D、以上答案都对

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考题半导体热敏电阻材料大多数是（）。A、金属B、非金属C、金属氧化物D、碳

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考题解释什么是ZnO压敏电阻的晶界效应。

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考题压敏电阻就是对电压敏感的非线性电阻元件。

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考题由非线性金属氧化物电阻片串联和（或）并联组成且无并联或串联放电间隙的避雷器叫做无间隙金属氧化物避雷器。

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考题下列传感器中哪个是基于压阻效应的？（）A、金属应变片B、半导体应变片C、压敏电阻D、磁敏电阻

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考题（）的基本工作原理是基于压阻效应。A、金属应变片B、半导体应变片C、压敏电阻D、压电陶瓷

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考题单选题下列对压敏电阻的描述不正确的是（）。A 压敏电阻自身寄生电容较小B 压敏电阻动作响应速度快C 压敏电阻通流容易比较大D 压敏电阻特性非线性程度高

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考题判断题由非线性金属氧化物电阻片串联和（或）并联组成且无并联或串联放电间隙的避雷器叫做无间隙金属氧化物避雷器。A 对B 错

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考题单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）A 金属应变片主要利用压阻效应B 金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C 半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D 半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。

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考题单选题利用半导体材料在某一方向上承受压力时，它的电阻率发生显著变化的现象制成压敏电阻，用压敏电阻制成的传感器称（）压力传感器。A 电阻应变式B 压阻式C 压电式D 电位器式

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考题填空题半导体压敏电阻式压力传感器是利用半导体的（）效应制成的。

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考题多选题ZnO压敏电阻的失效模式有（）。A电气击穿B过期老化C机械破坏D热破坏

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考题单选题下列传感器中哪个是基于压阻效应的？（）A 金属应变片B 半导体应变片C 压敏电阻D 磁敏电阻

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