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题目内容
（请给出正确答案）
多选题
关于预饱和技术的叙述，正确的是（ ）。
A
增宽饱和带，可增加扫描时间
B
饱和带越窄，越靠近感兴趣区，抑制伪影效果越好
C
预饱和带越多，抑制伪影效果越好
D
预饱和技术可抑制各种运动伪影
E
饱和带越宽，越靠近感兴趣区，抑制伪影效果越好
参考答案
参考解析
解析：
饱和带越窄，越靠近感兴趣区，抑制伪影效果越好。
饱和带越窄，越靠近感兴趣区，抑制伪影效果越好。
更多 “多选题关于预饱和技术的叙述，正确的是（ ）。A增宽饱和带，可增加扫描时间B饱和带越窄，越靠近感兴趣区，抑制伪影效果越好C预饱和带越多，抑制伪影效果越好D预饱和技术可抑制各种运动伪影E饱和带越宽，越靠近感兴趣区，抑制伪影效果越好” 相关考题
考题
关于卷褶伪影的叙述，正确的是（）A、卷褶伪影是由于FOV小于受检部位所致B、卷褶伪影主要发生在频率编码方向上C、变换频率编码和相位编码方向可消除卷褶伪影D、施加空间预饱和带可抑制卷褶伪影E、增大FOV可增加卷褶伪影出现的频率
考题
关于预饱和技术的叙述，正确的是（）A、预饱和技术可抑制各种运动伪影B、预饱和带越宽，抑制伪影效果越好C、增宽饱和带，可增加扫描时间D、饱和带越窄，越靠近感兴趣区，抑制伪影效果越好E、饱和带越宽，越靠近感兴趣区，抑制伪影效果越好
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考题
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