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填空题
UO2+x在氧化气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，UO2+x的密度将（）

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考题 在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体。 A.三价B四价C五价
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考题 在本征半导体中加入()元素可形成N型半导体。A、五价B、四价C、三价D、二价
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考题 在本征半导体中加入三价元素可形成N型半导体,加入五价元素可形成P型半导体。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（）A、N型半导体B、P型半导体C、PN结D、导体
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考题 在本征半导体中，（）是多子，由（）形成。在P型半导体中，（）是少子，由（）形成。
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考题 接触苯的氨基及硝基化合物可引起溶血性的贫血，其作用机制为（）A、高铁血红蛋白的形成B、还原型谷胱甘肽的减少C、氧化型谷胱甘肽的减少D、赫恩滋小体的形成E、B+D
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考题 在纯净的半导体材料中掺入微量五价元素磷，可形成（）。A、N型半导体B、PN结C、P型半导体D、导体
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考题 关于N型半导体的下列说法，错误的是：（）A、自由电了是多数载流子B、在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C、在纯净的硅晶体中三价元素硼，可形成N型半导体D、在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 UO2+x在氧化气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，UO2+x的密度将（）
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考题 TiO2在还原气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，TiO2-x的密度将（）
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考题 在本征半导体内掺入微量的3价元素，可形成（）型杂质半导体。其中的多子是（）
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考题 本征半导体中如果掺入微量的五价元素，即可形成N型半导体。
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考题 在纯净的半导体中掺入不同的杂质，可形成两种不同的杂质半导体，即N型半导体和（）半导体。
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考题 在半导体中掺入五价磷原子后形成的半导体称为（）。A、本征半导体B、P型半导体C、N型半导体D、化合物半导体
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考题 半导体中有（）和（）两种载流子，在本征半导体中掺着（）阶元素，可形成P型半导体。
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考题 在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（）A、P型半导体，其少子为自由电子B、N型半导体，其多子为自由电子C、P型半导体，其少子为空穴D、N型半导体，其多子为空穴
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考题 在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。（）A、五价B、四价C、三价
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考题 非化学计量化合物有何特点？为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料？
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考题 在本征半导体中掺入少量的（）价元素可形成N型半导体。A、3B、4C、5D、6
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考题 单选题在氧化气氛下，FeO形成非化学计量化合物，铁空位浓度与氧分压关系为（）。A 1/6B -1/6C 1/4D -1/4
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考题 单选题TiO2-x当环境中氧气氛压力减小或者在还原性气氛中，则其电导率与氧分压的（）次方成反比。A 1/3B 1/4C 1/5D 1/6
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考题 填空题TiO2在还原气氛中可形成（）型非计量化合物，可形成（）型半导体，缺陷浓度与氧分压的1/6次方成（），如果减少周围氧气的分压，TiO2-x的密度将（）
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考题 问答题非化学计量化合物有何特点？为什么非化学计量化合物都是n型或p型半导体材料？
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考题 单选题关于N型半导体的下列说法，错误的是（）。A 自由电了是多数载流子B 在二极管中由N型半导体引出的线是二极管的阴极C 在纯净的硅晶体中加入三价元素硼，可形成N型半导体D 在PNP型晶体管中，基区是N型半导体
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考题 填空题ZnO加热，表面上发生热分解反应，生成的Zn向晶体内部扩散，生成非整比化合物Zn1+xO，这是（）型半导体。NiO在氧气中反应，晶体变为阴离子过量的NiO1+x，这是（）型半导体。
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考题 单选题若有一个变价金属氧化物MO，在还原性气氛下形成缺氧型非化学计量化合物，金属正离子M和氧离子之比为M：O＝1.1：1，则其化学组成为（）。A MO0.91B M1.1OC MO0.89D MO1.1
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考题 单选题在纯净半导体材料中掺人微量五价元素磷，可形成（）A N型半导体B P型半导体C PN结D 导体
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