考题
可以多次编程的只读存储器是A.PROMB.EPROMC.EEPROMD.掩膜式ROME.EPRAM
考题
早期的可编程逻辑器件不包括下列哪一种?()
A PROMB EPROMC EEPROMD FPGA
考题
在下面四种半导体存储器中，哪一种采用的是动态随机存取存储器?A．RDRAMB．Flash ROMC．EEPROMD．Cache
考题
在下面四种半导体存储器中，( )采用的是动态随机存取存储器。A．RDRAMB．Flash. ROMC．EEPROMD．Cache
考题
需要进行刷新处理存储器的是( )A.ROMB.EPROMC.DRAMD.SRAM
考题
目前所使用的BIOS芯片,采用什么存储芯片制作()。
A.PROMB.EPROMC.EEPROMD.ROM
考题
以下属于ROM系列的有()
A.MASKROMB.EPROMC.EEPROMD.FLASHROM
考题
采用4K×4位的SRAM存储芯片扩展成32KB的存储模块，需要这种规格的存储芯片（）片。
考题
CPU高速缓存是采用以下哪种存储芯片（）A、EPROMB、SRAMC、FLASH ROMD、DRAM
考题
以下存储器中，只有（）是以电容来存储信息，需要定期进行刷新。A、PROMB、EPROMC、DRAMD、SRAM
考题
（）存储芯片是易失性的。A、SRAMB、UV-EPROMC、NV-RAMD、EEPROM
考题
某系统需要小量的高速缓存，最合适的存储器是（）A、SRAMB、DRAMC、EEPROMD、Flash
考题
下面关于NOR Flash和NAND Flash的叙述中，错误的是（）。A、NOR Flash和NAND Flash是目前市场上两种主要的闪存技术B、NAND Flash以页（行）为单位随机存取，在容量、使用寿命等方面有较大优势C、NOR Flash写入和擦除速度较慢D、数码相机存储卡和U盘中的Flash均采用NOR Flash
考题
U 盘是采用作为存储器的移动存储设备（）A、FlashMemoryB、EPROMC、EEPROMD、SRAM
考题
PLC的用户程序一般会固化在（）介质上。A、B.ROMB、B.EPROMC、C.EEPROMD、D.EPROM或EEPROM
考题
下列只读存储器中，可紫外线擦除数据的是（）A、PROMB、EPROMC、Flash Memory
考题
8k×8位的SRAM存储芯片，需要寻址线（）根。
考题
存储器在断电后，仍保留原有信息的是（）A、RAM，ROMB、ROM，EPROMC、SRAM，DRAMD、PROM，RAM
考题
以下几种存储器中，断电以后还能够保存信息的是：（）A、静态RAM和动态RAMB、动态RAM和EPROMC、EPROM和FLASHD、FLASH和静态RAM
考题
下列中的（）是电擦除可编程只读存储器。A、RAMB、EPROMC、EEPROMD、ROM
考题
下列不属于BIOS芯片种类的是（）。A、ROMB、FlashROMC、EPROM、EEPROMD、SRAM
考题
根据存储器芯片的功能及物理特性，目前用作U盘存储芯片的是（）A、SRAMB、SDRAMC、EPROMD、Flash ROM
考题
在内存储器中，需要对（）所存的信息进行周期性的刷新。A、PROMB、EPROMC、DRAMD、SRAM
考题
以下属于ROM系列的有（）A、MASKROMB、EPROMC、EEPROMD、FLASHROM
考题
目前所使用的BIOS芯片，采用什么存储芯片制作（）。A、PROMB、EPROMC、EEPROMD、ROM
考题
单选题早期的可编程逻辑器件不包括下列哪一种（）A
PROMB
EPROMC
EEPROMD
FPGA
考题
填空题采用4K×4位的SRAM存储芯片扩展成32KB的存储模块，需要这种规格的存储芯片（）片。