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位错的基本类型有两种，它们是（）位错和（）位错，有多余半个原子面是（）位错所特有的。
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考题
下列关于动态应变时效描述正确的是：（）A、原子扩散速度大于位错速度，且流动性暂时降低B、原子扩散速度小于位错速度，且流动性暂时降低C、原子扩散速度大于位错速度，且流动性暂时增加D、原子扩散速度小于位错速度，且流动性暂时增加
考题
位错的运动包括位错的滑移和位错的攀移，其中（）。A、螺位错只作滑移，刃位错既可滑移又可攀移B、刃位错只作滑移，螺位错只作攀移C、螺位错只作攀移，刃位错既可滑移又可滑移D、螺位错只作滑移，刃位错只作攀移
考题
单选题下列关于动态应变时效描述正确的是：（）A
原子扩散速度大于位错速度，且流动性暂时降低B
原子扩散速度小于位错速度，且流动性暂时降低C
原子扩散速度大于位错速度，且流动性暂时增加D
原子扩散速度小于位错速度，且流动性暂时增加
考题
单选题在晶体滑移过程中（）A
由于位错不断移出滑移面，位错密度随形变量的增加而减少B
由于位错的增殖，位错密度随形变量的增加而增高C
由于晶界不断吸收位错，位错密度随形变量的增加而减少D
由于位错的消失（移出滑移面）和增殖的共同作用，位错的密度基本不变
考题
单选题Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是（）A
溶质原子再扩散到位错周围B
位错增殖的结果C
位错密度降低的结果
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