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要组成容量为4M×8位的存储器，需要（）片4M×1位的芯片，或需（）片1M×8位的存储芯片。

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考题 设存储器的地址线有15条，存储单元为字节，采用2K×4位芯片，按全译码方法组成存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储芯片的数量是( )。A．16片B．32片C．64片D．128片
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考题 设存储器的地址线有16条，基本存储单元为字节，若采用2K×4位芯片，按全译码方法组成按字节编址的存储器，当该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储2S芯片的数量是【 】片。
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考题 构成4M×8bit的存储器，若采用128K×16bit的芯片，需(274)片：若采用512K×1bit的芯片，需(275)片。A．8B．16C．32D．64
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考题 设存储器的地址线有16条，存储单元为字节，采用2K芯片(4位)，按全译码方法组成存储器，问该存储器被扩充成最大容量时，需要此种存储器芯片数量是( )。A．16片B．32片C．64片D．128片
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考题 构成4M×8bit的存储器，若采用256K×8bit的芯片，需(1)片；若采斥512K×1bit的芯片，需(2)片。A．8B．16C．32D．64
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考题 设存储器的地址线为20条，存储单元为字节，使用全译码方式组成存储器，该系统构成最大存储器容量需要64K×1位的存储器芯片的数量是( )。A．16片B．32片C．64片D．128片
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考题 若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字（16位）的存储器时，需要该芯片数为（）。A.128片 B.256片 C.64片 D.32片
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考题 要组成容量为4M×8位的存储器，需要（）片4M×1位的芯片，或需（）片1M×8位的存储芯片。
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考题 由4M×1位存储芯片构成8M×8位的内存条，所需该存储芯片的片数为（）。A、4片B、8片C、16片D、32片
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考题 某半导体静态存储器芯片的地址线为A12～A0，数据线D3～D0，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A、2片B、4片C、8片D、16片
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考题 4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为（）条，由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）片。
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考题 若由2K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字的存储器时，需要该芯片数为（）
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考题 若由1K×1位的RAM芯片组成一个容量为8K字（16位）的存储器时，需要该芯片数为（）。A、256片B、128片C、64片D、32片
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考题 某半导体静态存储器芯片的地址线为A12-AO，数据线为D3~DO，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A、16片B、8片C、4片D、2片
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考题 由2K×4的芯片组成容量为4KB的存储器需要（）片这样的存储芯片。A、2B、4C、8D、16
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考题 监控记录插件记录数据的RAM存储器容量为（）A、1MB、2MC、3MD、4M
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考题 某半导体静态存储器芯片的地址线为A13一AO，数据线为D7一DO，若组成容量为32KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A、16片B、8片C、4片D、2片
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考题 用1M×4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M×8的存储器。A、位B、字C、复合D、位或字
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考题 Intel2114静态RAM芯片存储容量为1K×4位，要组成1K×8位或4K×8位的存储器，需要这种芯片分别为（）、（）。A、2B、4C、6D、8
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考题 单选题某容量为256M的存储器，由若干4M*8位的DRAM芯片构成，该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是：（）A 19B 22C 30D 36
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考题 填空题4M×1位DRAM存储芯片需要地址总线为（）条，由此种芯片构成8M×8位高集成度的内存条，所需该存储芯片的片数为（）片。
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考题 单选题某半导体静态存储器芯片的地址线为A12-AO，数据线为D3~DO，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A 16片B 8片C 4片D 2片
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考题 单选题用1M×4的DRAM芯片通过（）扩展可以获得4M×8的存储器。A 位B 字C 复合D 位或字
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考题 单选题某半导体静态存储器芯片的地址线为A12～A0，数据线D3～D0，若组成容量为64KB存储器，需要该种存储芯片的片数为（）A 2片B 4片C 8片D 16片
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