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IGBT是（）和（）的复合管。

  • A、GTO
  • B、GTR
  • C、P－MOSFET
  • D、PD

参考答案

更多 “IGBT是（）和（）的复合管。A、GTOB、GTRC、P－MOSFETD、PD” 相关考题
考题 IGBT斩波调速是通过改变IGBT导通和关断时间的比值调节电机平均电压,调速过程中能量损耗极小。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
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考题 IGBT是电流控制型器件。()
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考题 试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
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考题 除了非金属管材，安装工程中常见的还有复合管材，下列复合管材的应用范围错误的是（　）。 A.建筑内的热水器管采用铝塑复合管 B.涂塑钢管的主要规格有Φ15~Φ100mm C.输送氢氟酸和热浓碱的管道采用玻璃钢管 D.建筑内自来水给水管采用钢塑复合管
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考题 表面光滑，重量轻，强度大，坚固耐用，可输送氢氟酸和热浓碱以外的腐蚀性介质和有机溶剂的复合管材为（　）。A.铝塑复合管 B.钢塑复合管 C.涂塑钢管 D.玻璃钢管（FRP管）
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考题 变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号，变流器IGBT OK信号丢失持续（）ms，报此故障.
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考题 IGBT是（）的复合管。A、GTRB、SCRC、MOSFETD、RTD
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考题 GBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 复合管包括钢塑复合管和铝塑复合管等多种类型。
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考题 IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
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考题 不属于IGBT管特点的是（）A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件
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考题 IGBT的驱动由（）来控制开通和关断。
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考题 IGBT的静态特性包括传输特性和（）。
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考题 IGBT是指（）。
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考题 对于由两个晶体管组成的复合管，以下成立的有（）A、总的放大倍数为两管放大倍数的乘积B、复合管的类型和前面管子的类型相同C、复合管的类型和后面管子的类型相同
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考题 请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。
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考题 请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
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考题 填空题电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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考题 单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。A GTO和GTR；B TRIAC和IGBT；C MOSFET和IGBT；D SCR和MOSFET；
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考题 填空题IGBT的驱动由（）来控制开通和关断。
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考题 填空题请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 填空题请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
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考题 多选题筑水暖工程用复合管有（）形式。A钢塑复合管B铝塑复合管C薄壁不锈钢管D塑料复合管E镀锌钢管
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考题 填空题变流器IGBT故障的触发条件是主控发出变流启动信号，变流器IGBT OK信号丢失持续（）ms，报此故障.
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