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SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。

A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT

B.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT

C.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE

D.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

参考答案

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考题 高频开关电源中,常的电力电子器件为()。 A.GTRB.MOSFETC.IGBTD.GTO
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考题 79、IGBT在当代电力电子领域中应用非常广泛，它是集中了以下哪两种器件的优点所构成的复合器件？A．GTR、GTOB．SCR、MOSFETC．GTR、MOSFETD．SCR、GTO
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考题 3、3.对晶闸管触发电路有哪些基本要求？IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
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考题 1、变流系统中的电力电子器件都经历过从（)的发生过程。A．半控型晶闸管(SCR)、全控型晶闸管(GTO)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)B．全控型晶体管(GTO)、半控型晶闸管(SCR)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)C．半控型晶闸管(SCR)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及全控型晶体管(GTO)D．绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、全控型晶体管(GTO)及半控型晶闸管(SCR)
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考题 晶闸管、GTO、GTR是单极型器件；电力MOSFET是双极型器件；IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。
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考题 IGBT在当代电力电子领域中应用非常广泛，它是集中了以下哪两种器件的优点所构成的复合器件？A．GTR、GTOB．SCR、MOSFETC．GTR、MOSFETD．GTO
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考题 4、IGBT是 和P-MOSFET的复合管，在变频器主电路中用于 模块。A．GTO，整流B．GTR，逆变C．GTO，逆变D．GTR，整流E．SCR，整流F．SCR，逆变
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考题 变流系统中的电力电子器件都经历过从（)的发生过程。A．半控型晶闸管(SCR)、全控型晶闸管(GTO)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)B．全控型晶体管(GTO)、半控型晶闸管(SCR)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)C．半控型晶闸管(SCR)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及全控型晶体管(GTO)D．全控型晶体管(GTO)及半控型晶闸管(SCR)
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考题 127、以下哪些电力电子器件属于新型的全控型器件？A．电力晶体管（GTR）B．可关断晶闸管（GTO）C．功率场效应晶体管（功率MOSFET）D．绝缘栅极双级晶体管（IGBT）
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