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什么是吉布斯（Gibbs）现象? 窗函数的旁瓣峰值衰耗和滤波器设计时的阻带最小衰耗各指什么，有什么区别和联系？

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考题 化学反应平衡时;体系吉布斯函数值达到最小值 ( )
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考题 关于比表面吉布斯函数σ和表面张力σ的描述错误的是 ( )A 两者的物理意义相同B 两者的量纲相同C 两者在数值上相等D 是从不同的角度来看同一现象
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考题 下列不属于对窗函数的优劣评判的是( ).A、最大旁瓣峰值与主瓣峰值之比B、最大旁瓣10倍频程衰减率C、主瓣宽度D、旁瓣宽度
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考题 在等温等压下吉布斯函数变大于零的化学变化都不能进行;不可逆过程的吉布斯函数变都小于零()
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考题 因为ΔGm=-RTlnK，所以ΔGm是平衡状态时的吉布斯函数变。()
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考题 在等温、等压下，吉布斯函数变化大于零的化学变化可能进行。()
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考题 滤波器的阻带衰耗越小越好。
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考题 高频保护通道的总衰耗包括（）。A、包括输电线路衰耗B、阻波器分流衰耗C、结合滤波器衰耗D、耦合电容器衰耗E、高频电缆衰耗等F、阻波器回波衰耗
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考题 恒温恒压下化学反应达到平衡时，反应系统的总吉布斯函数达到最小值。
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考题 在等温、等压下，吉布斯函数变化大于零的化学变化都不能进行。 
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考题 使用窗函数设计FIR滤波器时，一般对窗函数的频谱有什么要求？这些要求能同时得到满足吗？为什么？
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考题 过饱和蒸气之所以可能存在，是因新生成的微小液滴具有很大的比表面吉布斯函数。
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考题 恒温、恒压下，凡能使系统表面吉布斯函数降低的过程都是自发过程。
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考题 如果窗函数频谱的主瓣峰值相对于左右旁瓣峰值越大，则该窗函数的泄漏误差（）。
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考题 高频保护通道的总衰耗包括输电线路衰耗、（）等。A、阻波器分流衰耗；B、结合滤波器衰耗；C、耦合电容器衰耗；D、高频电缆衰耗。
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考题 反应的吉布斯函数变就是反应产物与反应物之间的吉布斯函数的差值。 
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考题 对于纯组分，化学势等于其吉布斯函数。 
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考题 因为=-RTlnK，所以是平衡状态时的吉布斯函数变化。 
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考题 比表面吉布斯函数是指恒温、桓压下，当组成不变时可逆地增大单位表面积时，系统所增加的吉布斯函数，表面张力则是指表面单位长度上存在的使表面张紧的力。所以比表面吉布斯函数与表面张力是两个根本不同的概念。
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考题 用吉布斯函数变△G0，能自动进行；△G=0，平衡作为过程判据的条件是（）
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考题 问答题使用窗函数设计FIR滤波器时，一般对窗函数的频谱有什么要求？这些要求能同时得到满足吗？为什么？
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考题 判断题标准条件下单质的标准摩尔生成吉布斯函数等于零。A 对B 错
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考题 填空题恒温恒压可逆过程系统吉布斯函数的减少等于（）
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