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三极管的PC大于等于（）W为大功率管。

A.1
B.2
C.3
D.4

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更多 “三极管的PC大于等于（）W为大功率管。A.1 B.2 C.3 D.4” 相关考题
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考题 半导体功率管大小以1W为界限。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 元件装焊顺序是:() A.电阻器一二极管一三极管一电容器一集成电路一大功率管B.电阻器一三极管一电容器一二极管一集成电路一大功率曾C.电阻器一二极管一电容器一三极管一大功率管一集成电路D.电阻器一二极管一电容器一三极管一集成电路一大功率管
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考题 元器件装焊顺序是:()。 A.电阻器→二极管→三极管→电容器→集成电路→大功率管B.电阻器→三极管→电容器→二极管→集成电路→大功率管C.电阻器→二极管→电容器→三极管→大功率管→集成电路D.电阻器→二极管→电容器→三极管→集成电路→大功率管
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考题 inta,*p,**w;p=取a的值的表达式为( )。 A.&aB.&*pC.**pD.**w
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考题 在项目财务评价中，动态投资回收期(Pb)与基准回收期(Pc)相比较，如果Pb( )Pc，则开发项目在财务上就是可以接受的。A．大于等于B．大于C．小于等于D．无关系
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考题 三极管的PC大于1 W为大功率管。（）
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考题 三极管的fa大于等于（）MHz为高频管。A.1 B.2 C.3 D.4
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考题 洁净度等级N=6的洁净室内空气中，粒径大于或等于0.5μm的悬浮粒子的最大允许浓度值为下列哪一项？A.35200pc/m3 B.3520pc/m3 C.1000000pc/m3 D.6pc/m3
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考题 一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选用额定功耗至少应为（）；A、2W的功率管1个B、1W的功率管1个C、2W的功率管2个D、1W的功率管2个
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考题 PC中型机的输入输出（I/O）点数为（）。A、小于256点B、等于256点C、大于2048点D、256—2048点
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考题 三极管的功率大于等于（）为大功率管。A、1WB、0.5WC、2WD、5W
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考题 对于三极管的功率在1W以上的大功率管，可用万用表的（）挡测量。A、R×1或R×10B、R×100或R×10C、R×1或R×1KD、R×100或R×1K
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考题 对于大功率管，为防止功率过高而烧坏管子。常在三极管上加（）。
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考题 晶体三极管3AX中X表示（）。A、高频小功率管B、高频大功率管C、低频小功率管D、低频大功率管
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考题 元件装焊顺序是：（）A、电阻器一二极管一三极管一电容器一集成电路一大功率管B、电阻器一三极管一电容器一二极管一集成电路一大功率曾C、电阻器一二极管一电容器一三极管一大功率管一集成电路D、电阻器一二极管一电容器一三极管一集成电路一大功率管
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考题 型号为3DG21的半导体三极管，是硅材料的NPN型高频小功率管。
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考题 压力势呈负值时，细胞的Ψw（）。A、大于ΨsB、等于ΨsC、小于ΨsD、等于0
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考题 采用双电源互补对称（）电路，如果要求最大输出功率为5W，则每只三极管的最大允许功耗PCM至少应大于（）W。
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考题 甲乙类功放器中三极管的导通角等于（）。A、180°B、大于180°而小于360°
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考题 三极管3AC30C其中AC含义正确的是（）。A、NPN型硅材料，低频大功率管B、NPN型锗材料，高频大功率管C、PNP型硅材料，高频大功率管D、PNP型锗材料，高频大功率管
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考题 半导体功率管大小以1W为界限。
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考题 单选题压力势呈负值时，细胞的Ψw（）。A 大于ΨsB 等于ΨsC 小于ΨsD 等于0
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考题 单选题已知功率管的管芯至管壳的热阻为1.2℃/W，管壳至散热器的热阻为2.0℃/W，散热器至自由空气的热阻为10℃/W，环境温度为70℃，如功率管的损耗为6W，工作半小时后，管芯温度大约为（）。A 149.2℃；B 79.2℃；C 70℃；D 102℃；
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考题 单选题一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选用额定功耗至少应为（）；A 2W的功率管1个B 1W的功率管1个C 2W的功率管2个D 1W的功率管2个
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考题 单选题在项目财务评价中，动态投资回收期(Pb)与基准回收期(Pc)相比较，如果Pb（　）Pc，则开发项目在财务上就是可以接受的。A 大于等于B 大于C 小于等于D 无关系
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考题 单选题晶体三极管3DA的器件类别是（）A 低频小功率管B 高频大功率管C 高频小功率管D 低频大功率管
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