考题
半导体高低频管以3MHZ为界限。()
此题为判断题(对，错)。
考题
半导体功率管大小以1W为界限。()
此题为判断题(对，错)。
考题
经济学中所说的长期与短期的划分依据是：A、时间的长短B、以所有生产要素能否得到调整为界限C、以实际产量能否达到计划产量为界限D、以两年为界限
考题
一个输出功率为10W的扩音机电路,若用乙类推挽功放,则应选用额定功耗至少应为();
A.2W的功率管1个B.1W的功率管1个C.2W的功率管2个D.1W的功率管2个
考题
3AX31C表示管是（）。A、PNP低频小功率管B、NPN低频小功率管C、PNP高频大功率管
考题
变动成本定价法是指（）A、以变动总成本最低为定价的界限B、以单位变动成本为最低定价界限C、以单位完全成本为最低定价界限D、以单位固定成本为最低定价界限
考题
散热率用功率单位表示时，W和HU/s的关系是（）A、1W=1HU/sB、1W=1.41HU/sC、1W=1.71HU/sD、1W=0.71HU/sE、1W=0.77HU/s
考题
一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选用额定功耗至少应为（）；A、2W的功率管1个B、1W的功率管1个C、2W的功率管2个D、1W的功率管2个
考题
某半导体型号标明为3AD50C，其含义表示（）。A、锗材料PNP型管B、低频大功率管C、硅材料NPN型管D、A和B
考题
功率的单位换算，正确的是（）。A、1W=10mWB、1w=102mWC、1W=103mWD、1W=105mW
考题
对于三极管的功率在1W以上的大功率管，可用万用表的（）挡测量。A、R×1或R×10B、R×100或R×10C、R×1或R×1KD、R×100或R×1K
考题
晶体三极管3AX中X表示（）。A、高频小功率管B、高频大功率管C、低频小功率管D、低频大功率管
考题
型号为3DG21的半导体三极管，是硅材料的NPN型高频小功率管。
考题
把功率管固定在（）上，能大大（）功率管的极限功耗。
考题
网管操作上，功率管理子系统中，哪种单板既支持复用段层功率管理操作也支持通道层功率管理操作（）A、LACB、DGEC、VMUXD、OA
考题
半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。
考题
半导体应变片的灵敏度随（）的不同而不同A、半导体材料；B、杂质浓度；C、载荷的大小；D、半导体尺寸
考题
当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W
考题
导体、半导体和绝缘体三者之间没有绝对界限。（）
考题
判断题导体、半导体和绝缘体三者之间没有绝对界限。（）A
对B
错
考题
单选题按功率来分，晶体管可分为（）。A
大功率管B
中功率管C
小功率管D
以上都是
考题
单选题一个输出功率为10W的扩音机电路，若用乙类推挽功放，则应选用额定功耗至少应为（）；A
2W的功率管1个B
1W的功率管1个C
2W的功率管2个D
1W的功率管2个
考题
单选题某半导体型号标明为3AD50C，其含义表示（）。A
锗材料PNP型管B
低频大功率管C
硅材料NPN型管D
A和B
考题
单选题晶体三极管3DA的器件类别是（）A
低频小功率管B
高频大功率管C
高频小功率管D
低频大功率管
考题
单选题变动成本定价法是指（）A
以变动总成本最低为定价的界限B
以单位变动成本为最低定价界限C
以单位完全成本为最低定价界限D
以单位固定成本为最低定价界限