突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+

题目内容（请给出正确答案）

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

A.Ca2+

B.Cl

C.Na+

D.K+

E.Mg2+

参考答案

考题膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位() A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+

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考题膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（）。

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考题抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对（）的通透性增加所致。

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考题 A.Na B.Cl C.Mg D.Ca E.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

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考题突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.Cl-C.Na+D.K+E.Mg2+

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考题抑制性突触后电位（IPSP）的产生是后膜对哪种离子通透性增加A．Na+B．K+C．Ca2+D．Cl-

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考题抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生？A．Ca2+；B．Na+；C．K+；D．Cl-和K+。

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考题关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是A．突触后膜对钙离子和钾离子的通透性增大B．突触后膜去极化C．突触后膜出现超极化D．突触后膜出现复极化

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考题抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生A．Ca2+B．Na+C．K+D．Cl-和K+

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