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膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。

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考题 膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位() A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+
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考题 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+
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考题 A.Na B.Cl C.Mg D.Ca E.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
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考题 突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.Cl-C.Na+D.K+E.Mg2+
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考题 膜主要对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位 （　　） A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D.Cl- E.H+
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考题 膜主要对哪种离子的通透性升高时，可产生兴奋性突触后电位 （　　） A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D.Cl- E.H+
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考题 抑制性突触后电位（IPSP）的产生是后膜对哪种离子通透性增加A．Na+B．K+C．Ca2+D．Cl-
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考题 抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种（些)离子通透性变化所致A．Na+或K+通透性升高B．Ca2+或K+通透性升高C．Ca2+或Cl-通透性升高D．K+或Cl-通透性升高
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考题 抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生A．Ca2+B．Na+C．K+D．Cl-和K+
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