μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息

题目内容（请给出正确答案）

μPD424256的容量为256K×4bit，即芯片内部有256K个存储单元，每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中，正确的是( )。

A．芯片内部有256K个存储单元，因此芯片有18个地址引脚

B．芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新

C．芯片的数据线有4根，但为减少芯片的引脚数，它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的

D．DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外，有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息，有些存储8位信息

参考答案

考题外围电路用ECL电路，使用8K×4bit的sram存储器芯片构成256K×32bit的cache存储器。则需要(5)片存储芯片。A．32B．64C．128D．256

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考题半导体存储器的存储阵列由若干位存储单元组成，每个存储单元可存放一位二进制信息。（）

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考题若某个S接线器的入线数为16，且每条入线PCM每帧为128个时隙，则每个控制存储器的存储单元数量及每个存储单元大小至少为：A．128个，4bitB．1024个，8bitC．2048个，8bitD．2048个，4bit

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考题某RAM芯片有12条地址线，可寻址 KB个存储单元

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考题存储器芯片总容量为1KB，则该存储器必定包含（）。A．1000个存储单元B．1024个存储元C．8192个存储元D．1024个存储单元

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考题利用256K*8位ROM芯片设计256k*16位只读存储器，画逻辑电路图。

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考题某存储芯片有15根地址线，则该存储芯片的存储容量是存储单元。

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考题 46、设有32片256K×1位的SRAM芯片。问：采用位扩展方法可构成多大容量的存储器？（按256K×1位这样的格式回答）

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考题某SRAM芯片的存储容量为256K×4位，则该芯片的地址线和数据线分别为（）。A．18，4B．4，18C．20，8D．8，20

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