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二极管中电流(),晶体管中从C极到E极的电流(),场效应管的漏极电流()。
A、穿过两个PN结
B、穿过一个PN结
C、不穿过PN结
D、穿过三个PN结
参考答案
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考题
8、IGBT的饱和工作原理是（）。A．MOSFET的沟道夹断，饱和漏电流作为pnp晶体管的基极电流时期工作做放大状态。B．MOSFET的漏极电流引起pnp晶体管发射极注入，形成传导电流。C．MOSFET的沟道夹断，pnp晶体管工作在截至状态。D．MOSFET的漏极电流使pnp晶体管工作在饱和状态。
考题
1、有关场效应管，以下说法错误的是（）A．场效应管主要靠导电沟道中的多数载流子实现导电B．在恒流区，漏极电流基本不受漏源极电压的控制C．在恒流区，场效应管的漏极电流和栅源极电压之间是平方率关系D．发生预夹断后，场效应管的漏极电流因为沟道被部分夹断而会减小
考题
下列关于光敏二极管和光敏晶体管的对比不正确的是 （)。A．光敏二极管的线性特性较差,而光敏晶体管有很好的线性特性B．光敏二极管的光电流很小,光敏晶体管的光电流则较大C．光敏二极管与光敏晶体管的暗电流相差不大D．工作频率较高时,应选用光敏二极管;工作频率较低时,应选用光敏晶体管
考题
PMOS管的电流方向是从漏极到源极，NMOS管的电流方向是从源极到漏极。
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