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下列有关微粒分散体系描述错误的是
A．微粒表面具有扩散双电层
B．双电层厚度越大，相互排斥的作用力就越大
C．混悬剂中，加入絮凝剂可降低微粒表面电荷的电量
D．微粒分散体系发生絮凝后，振摇不能再分散
E．同一电解质可因加入量的不同，在微粒分散体系中起絮凝作用或反絮凝作用
参考答案
更多 “ 下列有关微粒分散体系描述错误的是A．微粒表面具有扩散双电层B．双电层厚度越大，相互排斥的作用力就越大C．混悬剂中，加入絮凝剂可降低微粒表面电荷的电量D．微粒分散体系发生絮凝后，振摇不能再分散E．同一电解质可因加入量的不同，在微粒分散体系中起絮凝作用或反絮凝作用 ” 相关考题
考题
关于絮凝的表述正确的有()。A、混悬剂的微粒带有的电荷的排斥力会阻碍微粒的聚集B、同一电解质可因用量不同起絮凝作用或反絮凝作用C、加入适当电解质，可使ζ电位降低D、为形成絮凝状态所加入的电解质称为絮凝剂E、混悬剂的微粒形成絮状聚集体的过程称为絮凝
考题
下列关于絮凝的叙述，正确的有A、加入适当电解质，可使电位降低B、为形成絮凝状态所加入的电解质称为絮凝剂C、混悬剂的微粒形成絮状聚集体的过程称为絮凝D、混悬剂的微粒带有的电荷的排斥力会阻碍微粒的聚集E、加入适宜的反絮凝剂也能提高混悬剂的稳定性
考题
关于混悬剂的叙述，错误的是()。A.沉降溶剂比越小，混悬剂就越稳定B.优良的混悬剂在贮存后再振摇，沉降物应能很快重新分散C.混悬剂中微粒的大小，直接关系到混悬液的稳定性D.絮凝度是比较混悬剂絮凝程度的重要参数E.在混悬剂制备时常加入稳定剂，包括润湿剂、助悬剂、絮凝剂、反絮凝剂
考题
下列有关微粒分散体系的描述，错误的是A．微粒表面具有扩散双电层B．双电层厚度越大，相互排斥的作用力就越大C．混悬剂中，加入絮凝剂可降低微粒表面电荷的电量D．微粒分散体系发生絮凝后，振摇不能再分散E．同一电解质可因加入量的不同，在微粒分散体系中起絮凝作用或反絮凝作用
考题
关于絮凝的表述正确的有A. 混悬剂的微粒带有的电荷的排斥力会阻碍微粒的聚集
B. 同一电解质可因用量不同起絮凝作用或反絮凝作用
C. 混悬剂的微粒形成絮状聚集体的过程称为絮凝
D. 为形成絮凝状态所加入的电解质称为絮凝剂
E. 加入适当电解质，可使ζ电位降低
考题
关于微粒分散体系的热力学稳定性叙述错误的是A.随着微粒粒径变小，表面积不断增加，表面张力降低B.表面积增加可使表面自由能大大增加C.在分散体系溶液中，可能出现小晶粒溶解，大晶粒长大的现象D.微粒越小，聚结趋势越大E.在微粒分散体系中，加入表面活性剂也不能降低体系的表面自由能
考题
下列关于絮凝的叙述，正确的有A.加入适当电解质，可使ζ电位降低
B.为形成絮凝状态所加入的电解质称为絮凝剂
C.混悬剂的微粒形成絮状聚集体的过程称为絮凝
D.混悬剂的微粒带有的电荷的排斥力会阻碍微粒的聚集
E.加入适宜的反絮凝剂也能提高混悬剂的稳定性
考题
下列关于絮凝的叙述，正确的有A.加入适当电解质，可使ζ电位降低
B.为形成絮凝状态所加入的电解质称为絮凝剂
C.混悬剂的微粒形成絮状聚集体的过程称为絮凝
D.混悬剂的微粒带有的电荷的排斥力会阻碍微粒的聚集
E.为了使混悬剂恰好产生絮凝作用，一般应控制ζ电位在20~25mV范围内
考题
下列混悬剂物理稳定性错误的是A.加入电解质，混悬微粒形成疏松聚集体的过程称为絮凝
B.助悬剂能增加分散介质的黏度以降低微粒的沉降速度
C.微粒与分散介质之间的密度差与微粒的沉降速度成反比
D.絮凝状态的混悬剂经振摇后能迅速恢复均匀的混悬状态
E.混悬粒子的沉降速度与微粒半径的平方成正比
考题
关于絮凝的错误表述是
A.混悬剂的微粒荷电，电荷的排斥力会阻碍微粒的聚集
B.加入适当电解质，可使电位降低
C.混悬剂的微粒形成絮状聚集体的过程称为絮凝
D.为形成絮凝状态所加入的电解质称为反絮凝剂
E.为了使混悬剂恰好产生絮凝作用，一般应控制电位在20~25mV范围内
考题
关于絮凝的错误表述是（）A混悬剂的微粒荷电，电荷的排斥力会阻碍微粒的聚集B加入适当电解质，可使ξ—电位降低C混悬剂的微粒形成絮状聚集体的过程称为絮凝D为形成絮凝状态所加入的电解质称为反絮凝剂E为了使混悬剂恰好产生絮凝作用，一般应控制ξ—电位在20～25mV范围内
考题
下列关于絮凝的叙述，正确的有（）A加入适当电解质，可使ζ电位降低B为形成絮凝状态所加入的电解质称为絮凝剂C混悬剂的微粒形成絮状聚集体的过程称为絮凝D混悬剂的微粒带有的电荷的排斥力会阻碍微粒的聚集E为了使混悬剂恰好产生絮凝作用，一般应控制ζ电位在20~25mV范围内
考题
单选题关于絮凝的错误表述是（）A
混悬剂的微粒荷电，电荷的排斥力会阻碍微粒的聚集B
加入适当电解质，可使ξ—电位降低C
混悬剂的微粒形成絮状聚集体的过程称为絮凝D
为形成絮凝状态所加入的电解质称为反絮凝剂E
为了使混悬剂恰好产生絮凝作用，一般应控制ξ—电位在20～25mV范围内
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