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电容电荷存储时间

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考题 半导体静态RAM靠【 】存储信息,半导体动态RAM靠电容存储电荷的原理来存储信息。

考题 若两只电容器的电容不等,而它们两端的电压一样,则电容大的电容器的电荷量多,电容小的电容器带的电荷小。( )

考题 无论采用何种工艺,动态RAM都是利用电容存储电荷的原理来保存信息的() 此题为判断题(对,错)。

考题 DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失,需定时给电容上的电荷进行补充,这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的,该过程称为DRAM的______。

考题 电容器在单位电压作用下所能储存的电荷量叫做该电容器的()。A、电容器B、电压C、电流D、电荷

考题 测量电离室输出信号的方式包括()A、电压、电流、输出电荷量B、电压、电阻,输出电荷量C、电压、电容、输出电荷量D、电阻、电流、输出电荷量E、电阻、电容、输出电荷量

考题 电容器串联之后,每个电容器上所带的()相等.A、负电荷B、电流C、正电荷D、电荷量

考题 下面关于DRAM存储器描述错误的是()A、DRAM存储器需要对存储内容定时刷新B、DRAM存储器具有单位空间存储容量大的特点C、DRAM存储器属于非易失的存储器D、DRAM存储器主要依靠电容的电荷存储效应记忆信息

考题 在DR平板探测器上,哪一部分的电压降可忽略不记()A、信号存储电容B、介质层C、方块电极层D、电荷收集电容E、其他

考题 电容器是存储电荷的装置。任何两个导体中间隔以绝缘物质,就形成一个电容器。()

考题 正确的表示电容性质的是()。A、具有隔直通交性质B、能够存储电荷C、在正弦电路中,电容的电流滞后电压D、在正弦电路中,电容的电流、电压符合欧姆定律E、在正弦电路中,电容的电流与电感同相

考题 用来储存电荷的元器件称为()。A、存储器B、电容器C、电阻器

考题 以下几种存储器中,利用电容存储电荷原理保存信息的是:()A、静态RAMB、动态RAMC、EPROMD、FLASH

考题 电容器的主要参数是()。A、电荷量B、电容量和电荷量C、电容量和额定工作电压D、电荷量和额定工作电流

考题 在纯电容电路中,电路电流的大小与()。A、电容量大小有关,因容量大,电容器储放的电荷多B、电容量大小有关,因容量小,单位时间内电荷移动得慢C、电源频率有关,因频率高,电容器储放的电荷多D、电源频率有关,因频率低,电容器充放电速度慢E、电源频率有关,因频率高,电容器充放电速度快

考题 两只电容器的电容不等,而它们两端的电压一样,则电容大的电容器带的电荷量多,电容小的电容器带的电荷量少。

考题 压电晶片的连接方式中串联接法()A、输出电压大,本身电容小,适宜用于以电压作输出信号B、输出电荷大,本身电容大, 时间常数大C、输出电压小,本身电容大,适宜用于以电压作输出信号D、输出电荷小,本身电容小, 时间常数大

考题 下面有关电容的描述正确的是()。A、能够存储电荷B、其容量的大小取决于加在电容器两端电压的大小C、存储电荷的数目是一定的D、加在电容器两端电压没有一定的限制

考题 电容器禁止带电荷合闸,电容器再次合闸时,必须在断开()时间之后。A、1minB、2mnC、3minD、10min

考题 两个不同的电容器并联在电路中,电容大的电容器带电荷量(),电容量小的电容器带电荷量()。

考题 在电容器串联回路中,各电容器所带的电荷量均(),并等于等效电容所带的电荷量。

考题 单选题在DR平板探测器上,哪一部分的电压降可忽略不记()A 信号存储电容B 介质层C 方块电极层D 电荷收集电容E 其他

考题 单选题下面有关电容的描述正确的是()。A 能够存储电荷B 其容量的大小取决于加在电容器两端电压的大小C 存储电荷的数目是一定的D 加在电容器两端电压没有一定的限制

考题 单选题压电晶片的连接方式中串联接法()A 输出电压大,本身电容小,适宜用于以电压作输出信号B 输出电荷大,本身电容大, 时间常数大C 输出电压小,本身电容大,适宜用于以电压作输出信号D 输出电荷小,本身电容小, 时间常数大

考题 多选题电荷耦合器件的几个工作过程分为()A电荷包的产生B电荷包耦合C电荷包存储D电荷包检测EMOS电容器

考题 单选题电容器的主要参数是()A 电荷量B 电容量和电荷量C 电容量和额定工作电压D 电荷量和额定工作电流

考题 名词解释题电容电荷存储时间

考题 单选题用来储存电荷的元器件称为()。A 存储器B 电容器C 电阻器