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判断题
物理性因素主要是离子辐射使染色体断裂、易位和发生点突变而导致细胞癌变。
A

B


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考题 细胞致死性损伤指A、DNA单链断裂B、DNA双链断裂C、染色体断裂D、染色体畸变E、染色体易位

考题 染色体结构畸变不包括A、断裂B、缺失C、嵌合D、易位E、等臂染色体

考题 光学显微镜不能观察到的遗传物质突变类型为A、基因突变B、染色体易位C、染色体重复D、染色体倒位E、染色体断裂

考题 丝裂霉素C可使体细胞染色体断裂而形成突变,其后果可能导致A.基因负荷增加B.生育功能障碍C.遗传性疾病D.胚胎综合征E.动脉粥样硬化

考题 化学毒物引起突变类型不包括( )。A、基因突变B、癌变C、染色体畸变D、染色体数目异常E、移码突变

考题 染色体数目异常的基础主要是()A染色体复制B染色体断裂C染色体易位D染色体不分离

考题 细胞癌变的机理主要是()A自然突变B原癌基因和抑癌基因发生突变C细胞分化中特化出来D细胞衰老过程中的必然产物

考题 引起染色体损伤的关键是()A、辐射导致DNA双链断裂B、辐射导致DNA对侧互补碱基位双链断裂C、辐射导致DNA单链断裂D、辐射导致DNA单链连续断裂E、辐射导致DNA变性

考题 导致正常细胞发生癌变的根本原因是:()A、致癌因子使原癌基因和抑癌基因发生突变B、细胞中的染色体上存在原癌基因和抑癌基因C、原癌基因与抑癌基因协调表达D、细胞癌变都是单一基因突变的结果

考题 电离辐射的重要表现是()。A、引起分子内电子的激发,而成为激发分子B、损伤小,诱变频率较低C、诱发的基因突变和染色体的断裂与剂量成正比D、突变谱不广而可育的有利突变较多

考题 什么是原癌基因?为什么突变后会导致细胞癌变?

考题 完全无氧的空气中辐射,幼苗损伤和染色体畸变等损伤相对减少,而突变率相对提高。

考题 辐射诱变的遗传效应主要是辐射引起染色体畸变和基因突变。

考题 罗伯逊易位发生的原因是()。A、两条近端着丝粒染色体在着丝粒处断裂后相互融合形成一条染色体B、两条近端着丝粒染色体在任何一处断裂后相互易位形成一条染色体C、任何两条染色体在着丝粒处断裂后相互融合形成一条染色体D、一条染色体节段插入另一条染色体E、性染色体和常染色体间的相互易位

考题 下列有关细胞癌变的叙述,正确的是()A、基因突变导致的各种细胞癌变均可遗传给子代B、石棉和黄曲霉素是不同类型的致癌因子C、人体的免疫系统对癌变细胞具有清除作用D、癌变细胞内酶活性降低导致细胞代谢减缓

考题 下列有关细胞癌变的叙述,正确的是()A、基因突变导致的各种细胞癌变均可遗传B、石棉和黄曲霉素是不同类型的致癌因子C、人体的免疫系统对癌变细胞具有清除作用D、癌变细胞内酶活性降低导致细胞代谢减缓

考题 电离辐射在染色体上所引发的最关键的损伤是()。A、DNA单链断裂B、DNA双链断裂C、点突变D、交联E、二聚体形成

考题 引起原癌基因突变的DNA结构改变包括( )A、点突变B、染色体易位C、插入突变D、染色体畸形E、基因缺失和基因扩增

考题 染色体断裂导致的畸变有()A、缺失B、重复C、易位D、倒位

考题 单选题电离辐射的重要表现是()。A 引起分子内电子的激发,而成为激发分子B 损伤小,诱变频率较低C 诱发的基因突变和染色体的断裂与剂量成正比D 突变谱不广而可育的有利突变较多

考题 填空题苯并芘(a)的致癌机理主要是形成()离子,与DNA()中的氮或氧结合,使之芳基化,导致DNA基因突变。

考题 填空题DNA中两种常见的自发突变是由于腺嘧呤、鸟嘌呤与脱氧核糖间的N-糖基连接断裂而导致的()和使胞嘧啶变为尿嘧啶而导致的()。

考题 单选题细胞癌变受很多外部因素影响。下列哪一项外因导致细胞癌变尚未有确凿证据()A 某些射线破坏DNA分子结构B 某些化学物质导致基因突变C 某些病毒插入染色体中D 高温导致某些蛋白质变性

考题 单选题染色体数目异常的基础主要是()A 染色体复制B 染色体断裂C 染色体易位D 染色体不分离

考题 单选题引起染色体损伤的关键是()A 辐射导致DNA双链断裂B 辐射导致DNA对侧互补碱基位双链断裂C 辐射导致DNA单链断裂D 辐射导致DNA单链连续断裂E 辐射导致DNA变性

考题 多选题引起原癌基因突变的DNA结构改变包括()A点突变B染色体易位C插入突变D染色体畸形E基因缺失和基因扩增

考题 单选题细胞癌变的机理主要是()A 自然突变B 原癌基因和抑癌基因发生突变C 细胞分化中特化出来D 细胞衰老过程中的必然产物