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判断题
试件的几何形状或磁导率的变化等形成的磁痕是无关显示
A

对

B

错

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考题 关于磁痕显示的叙述，正确的是（）A、非相关显示不是由漏磁场吸附磁粉磁粉形成的B、表面缺陷磁痕一般宽而模糊、轮廓不清晰C、近表面缺陷磁痕一般浓密清晰、瘦直或弯曲D、以上都不对
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考题 试件的几何形状或磁导率的变化等形成的磁痕是相关显示
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考题 射线照相中，几何因素或其他形状因素，如厚度变化、密度变化、设计孔、尺寸变化等所引起的显示为（）A、错误显示B、无关显示或非相关显示C、有关显示或相关显示D、瑕疵
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考题 影响涡流探伤的主要试件参数是试件的（）。A、电导率B、磁导率C、几何形状D、以上均是
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考题 形成磁痕的原因是（）。A、由于缺陷的漏磁场B、由于截面突变等形状变化处C、V由于材料组织变化处D、以上都是
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考题 平行或接近于试件表面的键槽或钻孔会产生与试件内部形状对应的（）的磁痕
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考题 相关显示与非相关显示是由漏磁场形成的磁痕显示，而伪显示不是由漏磁场形成的磁痕显示。
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考题 试件的几何形状或磁导率的变化等形成的磁痕是无关显示
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考题 相关显示是由漏磁场吸附磁粉形成的磁痕显示。
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考题 有效磁导率μeff是指（）。A、试件的真实磁导率B、真空磁导率C、一个假设的随试件各点性能变化的磁导率D、标准试件的相对磁导率
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考题 JB/T4730.4-2005标准对磁痕显示的分类是按磁痕的产生原因、形状和方向进行的，没有涉及缺陷的定性。
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考题 下列关于假磁痕的叙述中，正确的是（）A、指人工缺陷造成的磁痕B、指在没有缺陷处出现的磁痕C、探伤条件相同时，如果在每一试件的相同部位出现同样的磁粉显示，这样的磁痕就不会是假磁痕
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考题 试件中（）性间断与磁导率的急剧变化有关。A、磁粉B、电阻率C、电容D、磁均匀
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考题 形成磁痕的原因是（）A、由于缺陷的漏磁场B、由于截面突变等形状变化处C、由于材料组织变化处D、以上都是
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考题 形成磁痕的原因有（）A、由于截面突变等形状变化处B、由于材料组织变化处C、由于缺陷的漏磁场D、以上都不是
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考题 试件的几何形状或磁导率的变化等均可形成磁痕，这些磁痕是（）显示。
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考题 关于磁场强度和磁通密度的叙述，正确的是（）。A、磁场强度与磁导率有关，磁通密度与磁导率无关B、磁场强度与磁导率无关，磁通密度与磁导率有关C、磁场强度和磁通密度与磁导率都有关D、磁场强度和磁通密度与磁导率都无关
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考题 单选题影响涡流探伤的主要试件参数是试件的（）。A 电导率B 磁导率C 几何形状D 以上均是
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考题 填空题试件的几何形状或磁导率的变化等均可形成磁痕，这些磁痕是（）显示
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考题 单选题有效磁导率μeff是指（）。A 试件的真实磁导率B 真空磁导率C 一个假设的随试件各点性能变化的磁导率D 标准试件的相对磁导率
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考题 多选题形成磁痕的原因有（）A由于截面突变等形状变化处B由于材料组织变化处C由于缺陷的漏磁场D以上都不是
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考题 判断题试件的几何形状或磁导率的变化等形成的磁痕是相关显示A 对B 错
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考题 填空题平行或接近于试件表面的键槽或钻孔会产生与试件内部形状对应的（）的磁痕
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考题 单选题形成磁痕的原因是（）A 由于缺陷的漏磁场B 由于截面突变等形状变化处C 由于材料组织变化处D 以上都是
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考题 单选题下列关于假磁痕的叙述中，正确的是（）A 指人工缺陷造成的磁痕B 指在没有缺陷处出现的磁痕C 探伤条件相同时，如果在每一试件的相同部位出现同样的磁粉显示，这样的磁痕就不会是假磁痕
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考题 判断题相关显示与非相关显示是由漏磁场形成的磁痕显示，而伪显示不是由漏磁场形成的磁痕显示。A 对B 错
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考题 单选题射线照相中，几何因素或其他形状因素，如厚度变化、密度变化、设计孔、尺寸变化等所引起的显示为（）A 错误显示B 无关显示或非相关显示C 有关显示或相关显示D 瑕疵
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