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单结晶体管震荡电路是利用单结晶管发射极特性中的（）。

  • A、富阻区
  • B、截止区
  • C、饱和区

参考答案

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考题 由单结晶体管组成的自激振荡电路,主要利用了单结管的()特性。 A、整流B、放大C、负阻D、两基极间的欧姆
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考题 用单结晶体管组成的自激振荡电路,主要利用了单结管的负阻特性。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 10)单结晶体管当发射极与基极b1之间的电压超过峰点电压Up时，单结晶体管导通（ ）
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考题 下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
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考题 用单结晶体管组成的自激振荡电路，主要利用了单结管的负阻特性。
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考题 单结晶体管触发电路输出脉冲的幅度取决于（）。A、触发电路的充、放电时间常数B、单结晶体管的谷点电流C、单结晶体管的分压比D、单结晶体管的谷点电压
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考题 单结晶体管电路，如发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通后，当发射极电压减小到小于UV时，管子由导通变为截至。（）
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考题 单结晶体管的振荡电路是利用单结晶体管发射特性中的（）。A、饱和区B、截止区C、负阻区D、触发区
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考题 单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。
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考题 电路是利用单结晶体管（）的工作特性设计的。A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域
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考题 单结晶体管触发电路输出触发脉冲中的幅值取决于（）。A、发射极电压UeB、电容CC、电阻rbD、分压比η
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考题 单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。
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考题 利用单结晶体管的特性，配合适当的（）（）就可构成可控硅的触发电路。
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考题 利用单结晶体管的（）特性，可以构成振荡电路，给可控整流电路提供（）脉冲。
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考题 单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A、谷点B、峰点C、阴极D、阳极
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考题 单结晶体管触发电路是利用接在发射极的（）充放电原理制作。A、电阻B、电容C、阻容D、电感
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考题 单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A、变小B、不变C、变大D、其它
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考题 改变单结晶体管触发电路的振荡频率一般应采用改变什么的方法（）。A、发射极电阻B、电源电压C、振荡电容D、单结晶体管的电流
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考题 单结晶体管发射极的文字符号是（）A、CB、DC、ED、F
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考题 一般通过改变（）来改变单结晶体管触发电路的震荡频率。A、ＲeB、CC、LD、U
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考题 单选题单结晶体管的发射极电压升到（）电压时，单结晶体管就导通。A 谷点B 峰点C 阴极D 阳极
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考题 单选题单结晶体管触发电路中，单结晶体管发射极的电容容量变大，控制角（）。A 变小B 不变C 变大D 其它
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考题 填空题单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。
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考题 单选题单结晶体管触发电路是利用接在发射极的（）充放电原理制作。A 电阻B 电容C 阻容D 电感
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