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（请给出正确答案）
同一种原子核处在大小不同的外磁场B中，其旋磁比γ大小（）。
- A、将发生变化
- B、随外磁场B0增大而增大
- C、随外磁场B0增大而减小
- D、与外磁场B0无关，仅与原子核自身性质有关
- E、约为42
参考答案
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考题
关于静磁场B0在MRI中中的作用，叙述错误的是A.使P受磁场力矩的作用而定向排列B.原子核在B0中的自旋空间量子化C.高能态量子数略多于低能态量子数D.μ与B0方向相同时为低能态E.μ与B0方向相反时为高能态
考题
静磁场B0在MRI中的作用的叙述，错误的是（）A、使P受磁场力矩的作用而定向排列B、原子核在B0中的自旋空间量子化C、高能态量子数略多于低能态量子数D、μ与B0方向相同时为低能态E、μ与B0方向相反时为高能态
考题
以下关于漏磁场的叙述中，错误的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的材质无关C、漏磁场的大小与缺陷的深宽比有关D、工件表层下缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
下列关于漏磁场的叙述，正确的是（）。A、内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B、缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C、表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D、有缺陷的试件，才会产生漏磁场
考题
下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A、缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B、漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C、漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D、工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
静磁场B0在MRI中的作用的叙述，错误的是（）A、受磁场力矩的作用而定向排列B、原子核在B0中的自旋空间量子化C、高能态量子数略多于低能态量子数D、与B0方向相同时为低能态E、与B0方向相反时为高能态
考题
单选题同一种原子核处在大小不同的外磁场B0中，其旋磁比γ大小（）A
将发生变化B
随外磁场B0增大而增大C
随外磁场B0增大而减小D
与外磁场B0无关仅与原子核自身性质有关E
约为42
考题
单选题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A
缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B
漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C
漏磁场的大小与缺陷的深度和宽度的比值有关D
工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
多选题关于质子进动的概念，正确的是（ ）。A原子核在静磁场中自旋称为进动B原子核自身旋转的同时又以B0为轴做旋转运动称为进动C进动是一种围绕B0轴心的圆周运动DB0的轴心就是B0的方向轴E主磁场的大小决定了质子进动的频率
考题
单选题下列关于漏磁场的叙述，正确的是：（）A
内部缺陷处的漏磁场比同样大小的表面缺陷漏磁场大B
缺陷的漏磁场通常与试件上的磁场强度成反比C
表面缺陷的漏磁场，随离开表面的距离增大而急剧下降D
有缺陷的试件，才会产生漏磁场
考题
单选题同一种原子核处在大小不同的外磁场B中，其旋磁比γ大小（）。A
将发生变化B
随外磁场B0增大而增大C
随外磁场B0增大而减小D
与外磁场B0无关，仅与原子核自身性质有关E
约为42
考题
单选题下列关于漏磁场的叙述中，正确的是（）A
缺陷方向与磁力线平行时，漏磁场最大B
漏磁场的大小与工件的磁化程度无关C
漏磁场的大小与缺陷的深度比有关D
工件表层下，缺陷所产生的漏磁场，随缺陷的埋藏深度增加而增大
考题
单选题同一种原子核处在大小不同的外磁场B中，其旋磁比γ大小（）A
将发生变化B
随外磁场B0增大而增大C
随外磁场增大而减小D
与外磁场B0无关仅与原子核自身性质有关E
约为42
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