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若READY为低电平,此时CPU执行哪一个周期?()
- A、T3周期
- B、等待的时钟周期TW
- C、T4周期
- D、T1周期
参考答案
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考题
当DMA控制器向8086CPU请求使用总线后,下列说法正确的是A.CPU时钟周期执行结束后响应B.CPU等待周期执行结束后响应C.CPU指令周期执行结束后响应D.CPU总线周期执行结束后响应
考题
在CPU执行一段程序的过程中,Cache的存取次数为4600次,由主存完成的存取次数为400次。若Cache的存取周期为5ns,主存的存取周期为25ns,则CPU的平均访问时间为______ns。A.5.4B.6.6C.8.8D.9.2
考题
在CPU执行一段程序的过程中,cache的存取次数为3800次,由主存完成的存取次数为200次。若cache的存取周期为5ns,主存的存取周期为25ns,则cache的命中率为(1);CPU的平均访问时间为(2)ns。A.0.93B.0.95C.0.97D.0.99
考题
若8088CPU工作在最小方式,则执行指令MOVDATA,DL时其引脚信号错误!未找到引用源。和错误!未找到引用源。的电平应是()。A.错误!未找到引用源。为低电平,错误!未找到引用源。为低电平
B.错误!未找到引用源。为低电平,错误!未找到引用源。为高电平
C.错误!未找到引用源。为高电平,错误!未找到引用源。为低电平
D.错误!未找到引用源。为高电平,错误!未找到引用源。为高电平
考题
CPU的工作周期为20ns,主存存取周期为10ns,此时DMA接口适合采用()方式与CPU共享主存。A.停止CPU访问主存
B.周期挪用
C.DMA与CPU交替访存
D.以上无正确选项
考题
INTEL 8088 CPU可以访问的存储器空间可达1M,使用的地址信号线为A19~A0,CPU执行一次存储器读操作时,有效控制信号是()。A、RD低电平,WR三态,M/IO低电平B、RD三态,WR低电平,M/IO高电平C、RD低电平,WR高电平,M/IO高电平D、RD高电平,WR低电平,M/IO高电平
考题
若8086CPU工作于最小模式,试指出当CPU完成将AH的内容送到物理地址为91001H的存储单元操作时,以下哪些信号应为低电平:M/IO、RD、WR、BHE/S、7DT/R。若CPU完成的是将物理地址91000H单元的内容送到AL中,则上述哪些信号应为低电平。若CPU为8088呢?
考题
某机字长16位,CPU地址总线18位,数据总线16位,存储器按字编址,CPU的控制信号线有:MREQ#(存储器访问请求,低电平有效),R/W#(读写控制,低电平为写信号,高电平为读信号)。试问:【**,★,包捷5.2,编号3.3,3.5.2】
该机主存采用64K×1位的DRAM芯片(内部为4个128×128阵列)构成最大主存空间,则共需()个芯片;若采用异步刷新方式,单元刷新间隔为2ms,则刷新信号的周期为()。
考题
8086的准备就绪信号READY是()。A、输入信号,当READY=L(低电平)时,CPU将插入等待周期TWB、输入信号,当READY=H(高电平)时,CPU将插入等待周期TWC、输出信号,当READY=H(高电平)时,CPU将插入等待周期TWD、输出信号,当READY=L(低电平)时,CPU将插入等待周期TW
考题
问答题某机字长16位,CPU地址总线18位,数据总线16位,存储器按字编址,CPU的控制信号线有:MREQ#(存储器访问请求,低电平有效),R/W#(读写控制,低电平为写信号,高电平为读信号)。试问:【**,★,包捷5.2,编号3.3,3.5.2】
该机主存采用64K×1位的DRAM芯片(内部为4个128×128阵列)构成最大主存空间,则共需()个芯片;若采用异步刷新方式,单元刷新间隔为2ms,则刷新信号的周期为()。
考题
填空题在总线操作周期中,8088CPU会在第()个时钟周期的前沿测试()引脚,如果测到无放低电平,CPU()
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