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离子晶体所以有脆性是由于()。

  • A、离子排列不能错位
  • B、离子键结合力大
  • C、离子键有方向性
  • D、三种原因都有

参考答案

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考题 单晶膜氟离子选择电极的膜电位的产生是由于氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷而形成双电层结构。此题为判断题(对,错)。

考题 在晶格结构上,按一定规则交替排列着正离子和负离子,正负离子之间靠静电引力互相结合,这种晶体叫()。A、离子晶体B、分子晶体C、原子晶体D、金属晶体

考题 氟离子选择电极对F具有较高的选择性是由于()。A、只有F-能透过晶体膜B、F-能与晶体膜进行离子交换C、由于F体积比较小D、只有F能被吸附在晶体膜上

考题 硫铵是(),易溶于水。A、离子胶体B、离子晶体C、分子胶体D、分子晶体

考题 离子化合物或离子晶体的熔点,沸点,硬度均很高热膨胀系数(),但相对脆性较()。

考题 以下关于晶体的说法中正确的是()。A、晶体根据结构和性质只可分为分子晶体、原子晶体、离子晶体和金属晶体四大类B、任何晶体中都含有化学键,如离子键、共价键、金属键、氢键等C、含有阳离子的晶体一定属于离子晶体D、干冰和冰都属于分子晶体

考题 铝族元素的M3+离子在水溶液中容易离子化,是由于它们()。A、离子的水合焓大B、晶体的晶格能小C、电极电势低D、离子具有两性

考题 焊接接头中的()由于应力集中系数小,所以有较高的抗脆性断裂能力。A、搭接接头B、对接接头C、角接接头D、T型接头

考题 晶体可按晶格空间结构的区别分为()A、不同的晶系B、原子晶体和离子晶体C、分子晶体和离子晶体D、金属晶体和非金属晶体

考题 晶体膜电极的机制是由于()引起离子的传导作用 。晶体膜电位的干扰只是由于晶体表面的()而引起的。

考题 关于晶体的下列说法正确的是( )A、任何晶体中,若含有阳离子就一定有阴离子B、原子晶体中只含有共价键C、原子晶体的熔点一定比金属晶体的高D、离子晶体中只含有离子键,不含有共价键

考题 氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A、氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B、氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C、氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D、氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

考题 下列说法不正确的是()。A、离子晶体在熔融时能导电B、离子晶体的水溶液能导电C、离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大D、离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大

考题 单选题离子晶体中,由于离子的极化作用,通常使正负离子间的距离(),离子配位数()。A 增大,降低B 减小,降低C 减小,增大D 增大,增大

考题 填空题晶体产生Frankel缺陷时,晶体体积(),晶体密度();而有Schtty缺陷时,晶体体积(),晶体密度()。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时,()是主要的;两种离子半径相差大时,()是主要的。

考题 填空题离子化合物或离子晶体的熔点,沸点,硬度均很高热膨胀系数(),但相对脆性较()。

考题 单选题关于釉质晶体的化学性质下列说法错误的是()A 晶体成分总是处在不断变化当中B 离子交换,晶体中的离子可以同环境中的离子发生交换C 吸收性,当晶体中的离子直径较大或电位不适合时,其他离子可被吸收,而不会影响晶体结构D 晶体成分的比例总是确定不变的

考题 单选题下列哪项不是离子晶体的特点?()A 硬度高B 强度大C 热膨胀系数小D 脆性小

考题 单选题热缺陷亦称为本征缺陷,是指由热起伏的原因所产生的空位或间隙质点(原子或离子)。当离子晶体生成肖特基缺陷(Schottkydefect)时,()。A 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的缩小B 正离子空位和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加C 正离子空位和负离子间隙是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加D 正离子间隙和负离子空位是同时成对产生的,同时伴随晶体体积的增加

考题 单选题氟化镧晶体离子选择性电极膜电位的产生是由于()A 氟离子进入晶体膜表面的晶格缺陷形成双电层B 氟离子在晶体膜表面氧化而传递电子C 氟离子穿透晶体膜使膜内外产生浓度差形成双电层D 氟离子在晶体膜表面进行离子交换和扩散形成双电层

考题 单选题下列说法不正确的是()。A 离子晶体在熔融时能导电B 离子晶体的水溶液能导电C 离子晶体中,晶格能越大通常熔点越高,硬度越大D 离子晶体中离子的电荷数越多,核间距越大,晶格能越大

考题 填空题汽机启动时,由于铜、铁离子多对测定硬度有干扰,所以有时测硬度()。

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考题 单选题以下关于晶体的说法中正确的是()。A 晶体根据结构和性质只可分为分子晶体、原子晶体、离子晶体和金属晶体四大类B 任何晶体中都含有化学键,如离子键、共价键、金属键、氢键等C 含有阳离子的晶体一定属于离子晶体D 干冰和冰都属于分子晶体