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根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为（）、饱和区、截止区和击穿区。

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考题 三极管的输出特性曲线分为（ ）等工作区。A.死区 B.开启区 C.放大区 D.截止区 E.饱和区
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考题 通常晶体管的输出特性曲线区分为（ ）区。A.非饱和区 B.饱和区 C.截止区 D.放大区 E.线性区
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考题 三极管的输出特性曲线可分为三个区（）。A、饱和区B、截止区C、放大区D、工作区
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考题 根据三极管工作状态不同，输出特性可分（）A、载止区B、放大区C、饱和区D、隔离区
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考题 根据半导体三极管不同的工作状态，输出特性曲线分为（）A、输出区B、放大区C、饱和区D、截止区
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考题 关于放大器的截止失真，下列说法不正确的是，（）造成的失真。A、晶体管工作在输出特性曲线的截止区B、晶体管工作在输出特性曲线的放大区C、晶体管工作在输出特性曲线的饱和区D、晶体管工作在输出特性曲线的任意区
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考题 MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）
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考题 功率场效应管的输出特性包括截止、放大、饱和三个工作区。
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考题 根据输出特性曲线，三极管分为（）、（）、（）三个工作区。
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考题 在输出特性曲线上，满足IC=HFEIB关系的区域是：（）.A、放大区B、截止区C、饱和区D、击穿区
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考题 由输出特性曲线可知，晶体管有（）、放大区、饱和区三个区域。
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考题 结型场效应管的输出特性曲线可分为（）。A、可变电阻区和饱和区B、可变电阻区和击穿区C、饱和区和击穿区D、可变电阻区、饱和区和击穿区
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考题 根据三极管输出特性，曲线可分为（）区域。A、放大区B、截止区C、饱和区D、容抗
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考题 根据场效应管的输出特性，其工作情况可以分为（）、（）、（）和（）四个区域。
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考题 晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应（）A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区
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考题 在FET的输出特性曲线中，饱和区相当于BJT输出特性曲线的（）区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的（）区。
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考题 根据晶体管的工作状态，其输出特性可分为（）、放大区、饱和区三个区域。
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考题 根据三极管输出特性曲线，可以分为（）区。A、截止B、集电C、放大D、饱和E、发射
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考题 结型场效应管的输出特性曲线可分为（）几部分。A、放大区B、饱和区C、截止区D、可变电阻区E、击穿区
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考题 场效应管输出特性的三个区域分别是（）区、（）区、（）区。
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考题 场效应管用作α信号放大时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的（）A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 场效应管的输出特性曲线又称漏极特性曲线。它是指（）一定时，（）与（）这间的关系曲线，它可划分为（）、（）和（）三个区域。
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考题 三极管的输出特性曲线分为（）区、（）区和（）区。
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考题 根据晶体管的输出特性曲线，不是晶体管的工作状态的是（）A、截止区B、放大区C、饱和区D、死区
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考题 判断题功率场效应管的输出特性包括截止、放大、饱和三个工作区。A 对B 错
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考题 多选题根据三极管输出特性，曲线可分为（）区域。A放大区B截止区C饱和区D容抗
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