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在FET的输出特性曲线中，饱和区相当于BJT输出特性曲线的（）区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的（）区。

参考答案

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考题 晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、()和饱和区三个区域。
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考题 三极管的输出特性曲线可分三个区,即饱和区、截止区和放大区。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 三极管的输出特性曲线分为（ ）等工作区。A.死区 B.开启区 C.放大区 D.截止区 E.饱和区
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考题 通常晶体管的输出特性曲线区分为（ ）区。A.非饱和区 B.饱和区 C.截止区 D.放大区 E.线性区
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考题 所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指哪个区？( )A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.过损耗区
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考题 所谓三极管输出特性曲线中的线性区域是指哪个区？( )A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.过损耗区
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考题 根据三极管输出特性，曲线可分为（）区域。A放大区B截止区C饱和区D容抗
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考题 三极管的输出特性曲线可分为三个区（）。A、饱和区B、截止区C、放大区D、工作区
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考题 根据半导体三极管不同的工作状态，输出特性曲线分为（）A、输出区B、放大区C、饱和区D、截止区
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考题 关于放大器的截止失真，下列说法不正确的是，（）造成的失真。A、晶体管工作在输出特性曲线的截止区B、晶体管工作在输出特性曲线的放大区C、晶体管工作在输出特性曲线的饱和区D、晶体管工作在输出特性曲线的任意区
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考题 的输出特性曲线中共有：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿五个区。作为开关元件一般来说应工作在截止和（）区。
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考题 晶体三极管的输出特性曲线主要分三个工作区，作为放大元件使用时，应工作在饱和区。
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考题 由输出特性曲线可知，晶体管有（）、放大区、饱和区三个区域。
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考题 结型场效应管的输出特性曲线可分为（）。A、可变电阻区和饱和区B、可变电阻区和击穿区C、饱和区和击穿区D、可变电阻区、饱和区和击穿区
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考题 GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。
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考题 根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为（）、饱和区、截止区和击穿区。
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考题 晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应（）A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区
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考题 结型场效应管的输出特性曲线可分为（）几部分。A、放大区B、饱和区C、截止区D、可变电阻区E、击穿区
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考题 所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、过损耗区
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考题 场效应管用作α信号放大时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的（）A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
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考题 三极管的输出特性曲线分为（）区、（）区和（）区。
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考题 MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。
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考题 在输出特性曲线上，满足IC=HFEIB关系的区域是（）.A、放大区B、截止区C、饱和区D、击穿区
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考题 三极管的输出特性曲线可分成三个区域即（）。A、放大区、饱和区、截止区B、放大区、饱和区、短路区C、放大区、导通区、截止区D、放大区、饱和区、断路区
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考题 根据晶体管的输出特性曲线，不是晶体管的工作状态的是（）A、截止区B、放大区C、饱和区D、死区
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考题 单选题所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。A 放大区B 饱和区C 截止区D 过损耗区
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考题 判断题GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。A 对B 错
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