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PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。

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考题 PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
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考题 PN结是()形成的。 A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散
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考题 PN结附近形成的内电场方向是由N区指向P区,它阻止多子扩散,起到了限制电流通过的作用。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 漂移电流是少数载流子在PN结内电场作用下定向移动形成的。() 此题为判断题(对，错)。
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考题 PN结中的内电场促进少数载流子的扩散运动。此题为判断题(对，错)。
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考题 PN结加正向电压，则（）A、内电场增强B、PN结电阻呈现无穷大C、PN结变厚D、有利于多子的扩散
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考题 当PN结加正向电压时，（）运动超过了内电场作用下的（）运动，形成较大的正向电流。
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考题 PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移
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考题 金属导体内的电流是由（）在电场力的作用下运动形成的。A、空穴载流子B、正负离子C、自由电子D、载流子
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考题 PN结内部（）。A、存在内电场，能帮助少数载流子漂流B、存在内电场，能帮助多数载流子扩散C、不存在内电场D、存在内磁场，起到单向导电作用
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考题 存在于材料表面的带电粒子在电场作用下做定向运动，形成电流，通常称它们为载流子。（）
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考题 漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。
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考题 光生电流包括（）。A、耗尽区内的光生载流子形成的电流B、P区的光生载流子形成的电流C、N区的光生载流子形成的电流D、无外加电压和光子入射时，PN结输出电流
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考题 在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。
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考题 PN结反偏时，内电场与外电场的方向（），空间电荷区变（），有利于少数载流子的漂移运动，阻碍多数载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻大，PN结处于截止状态。
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考题 在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于（）而产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
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考题 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是（）作用下产生的，漂移运动是（）作用下产生的。
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考题 PN结加正向电压时，其正向电流是由（）的。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子扩散形成D、少数载流子漂移形成
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考题 PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
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考题 为什么PN结具有单向导电性（）。A、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向一致，增强内电场作用，多数载流子顺利通过在电路中形成电流，正向导通B、PN结内电场对多数载流子的扩散起阻挡作用，正向串联在电路中时，因叠加外正电场与内电场方向相反，削弱内电场阻挡作用，使多数载流子顺利通过阻挡层，在电路中形成电流，正向导通C、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向相反，削弱内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用D、PN结内电场对多数载流子的扩散运动起有利作用，反向串联在电路时，因叠加外电场与内电场方向一致，增强内电场作用，使多数载流子受到阻挡而无法通过，从而起反向截止作用
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考题 N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
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考题 在PN节之间加反向电压，多数载流子扩散被抑制，反向电流几乎为零，就形成了PN节截止。
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考题 在PN节之间加（），多数载流子的扩散增强，有电流通过PN节，就形成了PN节导电。A、前向电压B、后向电压C、正向电压
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考题 在PN节之间加正向电压，多数载流子的扩散增强，有电流通过PN节，就形成了PN节导电。
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考题 填空题PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向（），有利于多数载流子的扩散运动而不利于少子的漂移。
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考题 填空题当PN结加正向电压时，（）运动超过了内电场作用下的（）运动，形成较大的正向电流。
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考题 单选题pn结正向偏置时，外加电场削弱势垒区内自建电场，因而势垒区内扩散占优势使p区和n区有少子注入，形成正向（）A 复合电流B 漂移电流C 扩散电流D 漏电流
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