直接平板探测器的线性度范围是（）A、1：10B、1：100C、1：1000D、1：10000E、1：100000

题目内容（请给出正确答案）

直接平板探测器的线性度范围是（）

参考答案

考题多丝正比电离室探测器是A、直接探测器B、间接探测器C、模拟探测器D、平板探测器E、动态探测器

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考题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是A、硒鼓检测器B、IP成像转换器C、直接转换平板探测器D、间接转换平板探测器E、多丝正比室检测器

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考题直接平板探测器的线性度范围是A、1:10B、1:100C、1:1000D、1:10000E、1:100000

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考题下列图像获取方式属于直接数字化方式的是A.CCD平板传感器B.碘化铯非晶硅平板探测器S 下列图像获取方式属于直接数字化方式的是A.CCD平板传感器B.碘化铯非晶硅平板探测器C.非晶硒平板探测器D.胶片数字化仪E.计算机X线摄影

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考题属于DR成像直接转换方式的是A．非晶硒平板探测器B．碘化铯+非晶硅平板探测器C．利用影像板进行X线摄影D．固定IP+CCD摄像机阵列E．硫氧化钆：铽+非晶硅平板探测器

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考题多丝正比电离室探测器是A.间接探测器 B.直接探测器 C.动态探测器 D.平板探测器 E.模拟探测器

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考题直接平板探测器的线性度范围是A.1：100000 B.1：1000 C.1：10000 D.1：100 E.1：10

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考题关于平板探测器的描述，错误的是（）A、线性好B、DQE高C、动态范围大D、工作效率高E、空间分辨率高

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考题叙述直接转换型平板探测器的工作原理。

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考题分析直接型平板探测器FPD（a-Se）工作原理

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考题应用碘化铯闪烁体和非晶硅管阵列技术制成的探测器是（）A、硒鼓探测器，B、IP成像转换器，C、直接转换平板探测器，D、间接转换平板探测器，E、多丝正比室检测器

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考题单选题关于平板探测器的描述，错误的是（　　）。A 线性好B DQE高C 动态范围大D 工作效率高E 空间分辨率高

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考题单选题关于平板探测器的描述，错误的是（　　）。A 接收X线照射而直接输出数字影像信息B 也称作直接X线摄影C 乳腺摄影用平板探测器效率更高D 有直接转换和间接转换两种E 乳腺摄影用平板探测器像素更小

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考题单选题直接平板探测器的线性度范围是（）A 1：10B 1：100C 1：1000D 1：10000E 1：100000

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考题单选题应用非晶硒和薄膜晶体管阵列技术制成的探测器是（）。A 硒鼓检测器B IP成像转换器C 直接转换平板探测器D 间接转换平板探测器E 多丝正比室检测器

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考题单选题多丝正比电离室探测器是（）A 直接探测器B 间接探测器C 模拟探测器D 平板探测器E 动态探测器

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考题问答题叙述直接转换型平板探测器的工作原理。

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