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二极管的基本特性是();当温度升高时,二极管的正向压降会减小。


参考答案

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考题 二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。

考题 温度升高,二极管的管压降减小。()

考题 在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

考题 当温度升高后,三极管的正向压降_______,后向漏电流_______。 A、增大B、减小C、不变

考题 二极管导通时的正向电压称为正向压降(或管压降)。一般正常工作时,硅管的正向压降是()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7

考题 当温度升高后,二极管的正向电压减小,反向电流增大。

考题 二极管的反向电流随着温度()而()A、升高;减小B、降低;减小C、升高;不变D、升高;基本不变

考题 当二极管加正向电压时,二极管就(),而当二极管加反向电压时,二极管就(),这叫二极管的()特性。

考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

考题 常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

考题 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(),正向压降将()。

考题 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、不变C、减小

考题 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于()时处于正偏导通状态。A、0B、死区电压C、反向击穿电压D、正向压降

考题 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

考题 二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

考题 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别()A、左移,下移B、右移,上移C、左移,上移D、右移,下移

考题 二极管的基本特性是(),其反向电阻比正向电阻值()。当二极管两端加正向电压时,其动态电阻随正向电流的增加而()。

考题 普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

考题 当温度升高后,二极管的正向电压(),反向电流()。

考题 连接在电路中的二极管,当温度升高时,二极管的正向漏电流和反向击穿电压分别会()。A、增加,增加B、增加,降低C、降低,增加D、不变,降低

考题 温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移。

考题 从二极管伏安特性看,当()时,二极管的导通电阻小.A、正向特性曲线陡直B、正向特性曲线平缓C、反向特性曲线陡直D、反向特性曲线平缓

考题 当温度升高后,二极管的正向电压(),反向电流()。A、减小、增大B、增大、减小C、不变、不变D、不变、增大

考题 二极管在正向电压作用下处于()状态。如果不计二极管的正向压降,它相当于开关处于()状态。

考题 利用二极管()的特性,可以获得较好的稳压性能。A、单向导通B、反向击穿C、正向导通D、正向压降

考题 填空题当二极管加正向电压时,二极管就(),而当二极管加反向电压时,二极管就(),这叫二极管的()特性。

考题 单选题使用数字万用表“二极管档”检查二极管的好坏,当二极管正接时显示的数值为二极管的()值。A 正向电阻B 正向电流C 正向压降D 正向管耗