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金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起电阻的相对变化主要由()。

  • A、贴片位置的温度变化
  • B、电阻丝几何尺寸的变化
  • C、电阻材料的电阻率的变化
  • D、电阻截面积

参考答案

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考题 金属丝应变片在测量某一构件的应变时,引起其电阻相对变化的原因为()。 A、金属丝几何尺寸的变化B、金属丝材料弹性模量的变化C、金属丝电阻率的变化D、金属丝压阻系数的变化

考题 半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是( )。 A. 截面积B. 电阻率C. 长度D. 高通

考题 电阻应变片中电阻栅金属材料的灵敏系数K的物理意义是()。 A、单位应变的电阻变化量B、单位电阻的应变变化量C、单位应变的电阻变化率D、单位电阻的应变变化率

考题 电阻应变片的灵敏度系数K指的是( )。A.应变片电阻值的大小 B.单位应变引起的应变片相对电阻值变化 C.应变片金属丝的截面积的相对变化 D.应变片金属丝电阻值的相对变化

考题 电阻应变片的灵敏度系数K指的是(  )。 A、应变片电阻值的大小 B、单位应变引起的应变片相对电阻值变化 C、应变片金属丝的截面积的相对变化 D、应变片金属丝电阻值的相对变化

考题 金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是()A、金属应变片主要利用压阻效应B、金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C、半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D、半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高,但非线性误差大。

考题 金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

考题 指材料在承受应变时,其几何尺寸发生变化而导致发生变化的现象,称为();指材料在承受应变时,其自身电阻率发生变化而导致电阻发生变化的现象,称为()。

考题 粘贴到试件上的电阻应变片,环境温度变化会引起电阻的相对变化,产生虚假应变,这种现象称为温度效应,简述产生这种现象的原因。

考题 当测量较小应变值时,应选用电阻()效应工作的应变片,而测量大应变值时,应选用()效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料的相对变化来决定。

考题 当测量较小应变值时,应选用()工作的应变片,而测量大应变值时,应选用压阻效应工作的应变片,后者应变片阻值的相对变化主要由材料电阻率的相对变化来决定。

考题 金属电阻丝应变片与半导体应变片在工作原理上有何区别?各有何特点?在用应变仪测量机构的应力,应变时,如何消除由于温度变化所产生的影响?

考题 金属电阻应变片的电阻相对变化主要是由于电阻丝的()变化产生的。A、尺寸B、电阻率C、形状D、材质

考题 金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化

考题 金属丝应变片在测量某一构件的应变时,其电阻的相对变化主要由()来决定。A、贴片位置的温度变化B、电阻丝几何尺寸的变化C、电阻材料电阻率的变化D、以上均可

考题 金属丝的灵敏系数,其物理意义是:单位应变所引起的电阻相对变化。

考题 半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是()。A、长度B、截面积C、电阻率D、高通

考题 影响金属导电材料应变灵敏度k的主要因素是()。A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化

考题 金属电阻应变片受力会产生电阻值的变化,其主要原因是()A、压阻效应B、压磁效应C、压电效应D、电阻丝的几何尺寸变化

考题 由于测量现场环境温度的改变,而引起应变片电阻的附加相对变化量,称为(),因此而给测量带来的附加误差 ,称为应变片的(),又叫应变片的()。产生上述现象的原因是由于阻丝()的存在和试件与电阻丝材料()的不同。

考题 使用金属丝式电阻应变片测量构件应力时,当应力发变化生时,则应变片的()发生变化。A、电阻B、长度C、电阻和长度D、灵敏系数

考题 单选题金属丝应变片在测量构件的应变时,电阻的相对变化主要由()来决定的。A 贴片位置的温度变化B 电阻丝几何尺寸的变化C 电阻丝材料的电阻率变化

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考题 填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于:前者利用金属的()引起的电阻变化,后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。

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