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金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为（）。

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考题 加到半导体中的杂质可以分成()种类型,一种杂质加到半导体中去后,在半导体中会产生许多带负电的(),这种半导体叫做()半导体。
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考题 热电阻温度计是基于金属或半导体的电阻随温度的变化而变化，当测出金属或半导体的（）值时，就可获得与之对应的温度值。A.电流B.电压C.电阻D.电容
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考题 金属导体的电阻值随温度升高而 ，半导体的电阻值随温度升高而减小。
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考题 热电偶温度计的测温原理是( )。A.利用导体或半导体的电阻随着温度而改变的性质B.利用导体或半导体的长度随着温度而改变的性质C.利用测温元件在不同温度下的热电势不同的性质D.利用测温元件在不同温度下的热电阻不同的性质
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考题 半导体在我们的日常生活中有着广泛应用，下列关于半导体的说法正确的是：A.麦克斯韦首次发现了半导体现象 B.所有半导体材料都属于金属化合物 C.温度升高，半导体的电阻会随之变高 D.LED灯利用半导体将电能转化为光能
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考题 热电阻温度计是基于导体或半导体的（）的特性而测温的。
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考题 热电偶是由两种不同的金属导体或半导体______成一个______构成的。这两根导体或半导体称为热电极。
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考题 金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
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考题 加到半导体中的杂质可以分成（）种类型。一种杂质加到半导体中去后，在半导体中会产生许多缺少电子的（）。这种半导体叫做（）型半导体。
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考题 热电阻温度计是根据导体或半导体的电阻随温度变化而改变的原理制成的。
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考题 热电偶温度计的测温原理是（）。A、利用导体或半导体的电阻随着温度而改变的性质；B、利用导体或半导体的长度随着温度而改变的性质；C、利用测温元件在不同温度下的热电势不同的性质
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考题 热电阻是利用电阻与温度呈现一定函数关系的（）制成的感温元件.A、金属导体B、半导体C、金属导体或半导体D、绝缘体
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考题 半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是（）。
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考题 金属导体或半导体在外力作用下产生机械变形而引起导体或半导体的电阻值发生变化的物理现象称为（）A、光电效应B、压电效应C、压阻效应D、应变效应
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考题 金属导体和半导体有个显著差别在于金属的电阻率随（）而（），而半导体的电阻率随（）而（）（少数除外）。
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考题 本征半导体和杂质半导体中都存在（）现象，产生（），在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流（在常温下）。
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考题 金属应变片工作原理是利用（）效应；半导体应变片工作原理是利用（）效应。二者灵敏系数主要区别是：金属应变片的电阻变化主要由（）引起的，半导体应变片的电阻变化主要由（）引起的。
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考题 半导体式应变片在外力作用下引起其电阻变化的因素主要是（）。A、长度B、截面积C、电阻率D、高通
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考题 单选题（）传感器是当导体在外力作用下产生机械变形时，它的电阻值相应发生变化。A 变极距式B 金属电阻应变片式C 线绕变阻式D 半导体应变片
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考题 填空题金属-半导体接触分：（）三种。当半导体衬底浓度 低于（）时，只能产生（），当半导体衬底浓度 高于（）时 可实现（）。
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考题 单选题热电偶温度计的测温原理是（）。A 利用导体或半导体的电阻随着温度而改变的性质；B 利用导体或半导体的长度随着温度而改变的性质；C 利用测温元件在不同温度下的热电势不同的性质
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考题 单选题金属应变片和半导体应变片主要区别描述错误的是（）A 金属应变片主要利用压阻效应B 金属应变片主要利用导体几何尺寸变换引起电阻变化C 半导体应变片主要利用电阻率变化引起电阻变化D 半导体应变片相比金属应变片的灵敏度高，但非线性误差大。
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考题 单选题热电阻是利用电阻与温度呈现一定函数关系的（）制成的感温元件.A 金属导体B 半导体C 金属导体或半导体D 绝缘体
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考题 单选题关于半导体测温元件说法正确的是（）。A 半导体热敏电阻随温度的升高电阻值上升B P型和N型半导体材料不能集成在一个热电偶中C 不能制作成接触型D 半导体热敏电阻比金属热敏电阻灵敏度高
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考题 填空题金属电阻应变片与半导体应变片的物理基础的区别在于：前者利用金属的（）引起的电阻变化，后者利用半导体材料的电阻率变化引起的电阻变化。
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考题 填空题导体或半导体材料在外界力的作用下，会产生机械变形，其电阻值也将随着发生变化，这种现象称为应变效应。应变片传感器由电阻应变片和（）两部分组成。
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