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对于具有π电子云的乙炔分子，电子环流将产生（）（去屏蔽/屏蔽），对于乙烯分子，电子环流将产生（）（去屏蔽/屏蔽），乙烯与乙炔，质子信号出现在低场的是（）。
参考答案
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考题
下列哪些概念是错误的（ ）。A．药物分子电子云密度分布是均匀的B．药物分子电子云密度分布是不均匀的C．药物分子电子云密度分布应与特定受体相适应D．受体的电子云密度分布是不均匀的E．电子云密度分布对药效无影响
考题
关于影响屏蔽常数σ大小的因素，正确的说法是（）A、被屏蔽电子的l值越小，σ值越大；B、屏蔽电子的n值越小，σ值越大；C、被屏蔽电子离核越远，σ值越大；D、屏蔽电子的数目越多，σ值越大；E、n=1的电子所受屏蔽σ=0
考题
乙烯比乙炔质子的相对化学位移要大，主要原因是（）。A、由于磁的各向异性效应，使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区B、由于磁的各向异性效应，使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区C、由于磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙快质子处在去屏蔽区
考题
下列关于屏蔽效应的说法中，正确的一个是（）A、4s电子的屏蔽常数σ4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小B、当n和Z相同时，某电子的σ值愈大，该电子的能量就愈低C、主量子数n相同，角量子数l不同；随l增大，电子的屏蔽作用增大D、当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时，σ值也愈大
考题
屏蔽双绞线与屏蔽模块连接时，根据欧洲布线系统的施工标准下列说法正确的是（）A、对于铝箔屏蔽双绞线，只需将屏蔽层的接地导线接到两端模块的屏蔽层上B、对于铝箔屏蔽双绞线，只需将双绞线中的接地导线接到两端模块的屏蔽层上C、对于丝网+铝箔屏蔽的双绞线，只要将丝网层端接到两端模块的屏蔽层上D、对于丝网+铝箔屏蔽的双绞线，要将双绞线和丝网层端同时接到两端模块的屏蔽层上
考题
在多电子原子中，计算屏蔽常数σ时，可以不考虑的是（）。A、外层电子对内层电子的屏蔽作用B、（n－1）层电子对最外层（n层）电子的屏蔽作用C、（n－2）层电子对最外层（n层）电子的屏蔽作用D、同一层电子之间的屏蔽作用
考题
在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B、屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C、屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
考题
电子整机产品中的屏蔽分为（）三种类型。A、高频信号屏蔽、中频信号磁屏蔽、低频信号屏蔽B、音频信号屏蔽、视频信号磁屏蔽、控制信号屏蔽C、数字信号屏蔽、模拟信号磁屏蔽、干扰信号屏蔽D、电屏蔽、磁屏蔽、电磁屏蔽
考题
关于屏蔽常数σ，下列说法错误的是（）A、屏蔽电子的数目越多，σ值越大B、被屏蔽电子离核越远，σ值越大C、某电子的屏蔽常数σ反映该电子屏蔽原子核作用的大小D、当n和z相同时，某电子的σ值越大，该电子的能量越低
考题
屏蔽接地按功能划分要求有（）。A、磁屏蔽体的接地：其目的是为了防止形成环路产生环流而发生磁干扰。磁屏蔽体的接地主要应考虑接地点的位置以避免产生接地环流。一般要求其接地电阻不大于4ΩB、电磁屏蔽体的接地：其目的是为了减少电磁感应的干扰和静电耦合，保证人身安全。一般要求其接地电阻不大于4ΩC、静电屏蔽体的接地：其目的是为了把金属屏蔽体上感应的静电干扰信号直接导入地中，同时减少分布电容的寄生耦合，保证人身安全。一般要求其接地电阻不大于4ΩD、其屏蔽体应在电源滤波器处，即在进线口处一点接地
考题
单选题在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A
屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B
屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C
屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D
屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
考题
单选题乙烯质子的化学位移值（δ）比乙炔质子的化学位移值大还是小？其原因是（）A
大，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区B
大，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在去屏蔽区，乙炔质子处在屏蔽区C
小，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在去屏蔽区，乙炔质子处在屏蔽区D
小，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区
考题
多选题为减小雷电电磁脉冲在电子信息系统内产生的浪涌，可以采用的屏蔽措施有（），这些措施应综合使用。A建筑物屏蔽B设备屏蔽C机房屏蔽D线缆屏蔽和合理布设
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