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乙烯比乙炔质子的相对化学位移要大，主要原因是（）。
- A、由于磁的各向异性效应，使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区
- B、由于磁的各向异性效应，使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区
- C、由于磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙快质子处在去屏蔽区
参考答案
更多 “乙烯比乙炔质子的相对化学位移要大，主要原因是（）。A、由于磁的各向异性效应，使得乙烯、乙炔质子都处在屏蔽区B、由于磁的各向异性效应，使得乙烯、乙炔质子都处在去屏蔽区C、由于磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙快质子处在去屏蔽区” 相关考题
考题
当氢质子放人静磁场后，下列情况正确的是A.氢质子磁矢奩都平行主磁场且方向相同B.氢质子磁矢量都平行主磁场且方向相反C.氢质子磁矢量都平行主磁场且低能级质子与主磁场方向相同D.氢质子磁矢量都主磁场且方且高能级质子与主磁场方向相同E.氢质子磁矢量不受主磁场影响
考题
NMR分析中，质子核外电子云密度大的则（）。A、屏蔽效应较弱，相对化学位移较大，共振峰出现在高场B、屏蔽效应较强，相对化学位移较小，共振峰出现在高场C、屏蔽效应较强，相对化学位移较大，共振峰出现在低场D、屏蔽效应较强，相对化学位移较大，共振峰出现在高场
考题
乙烯质子的化学位移值（δ）比乙炔质子的化学位移值大还是小，其原因是（）。A、大，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区B、大，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在去屏蔽区，乙炔质子处在屏蔽区C、小，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在去屏蔽区，乙炔质子处在屏蔽区D、小，因为磁的各向异性效应，使乙烯质子处在屏蔽区，乙炔质子处在去屏蔽区
考题
在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B、屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C、屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D、屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
考题
质子的化学位移有如下顺序：苯（7.27）乙烯（5.25）乙炔（1.80）乙烷（0.80），其原因是（）A、导效应所致B、杂化效应和各向异性效应协同作用的结果C、向异性效应所致D、杂化效应所致
考题
当氢质子放入静磁场后，下列情况正确的是（）A、氢质子磁矢量都平行主磁场且方向相同B、氢质子磁矢量都平行主磁场且方向相反C、氢质子磁矢量都平行主磁场且低能级质子与主磁场方向相同D、氢质子磁矢量都平行主磁场且高能级质子与主磁场方向相同E、氢质子磁矢量不受主磁场影响
考题
下面有关化学位移描述正确的是（）。A、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D、质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
考题
单选题下面有关化学位移描述正确的是（）。A
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值小B
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值大C
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向低场，化学位移δ值小D
质子受到的屏蔽增大，共振频率移向高场，化学位移δ值大
考题
单选题质子的化学位移有如下顺序：苯（7.27）乙烯（5.25）乙炔（1.80）乙烷（0.80），其原因是（）A
导效应所致B
杂化效应和各向异性效应协同作用的结果C
向异性效应所致D
杂化效应所致
考题
单选题在核磁共振波谱分析中，当质子核外的电子云密度增加时（）A
屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在高场出现B
屏蔽效应减弱，化学位移值大，峰在高场出现C
屏蔽效应增强，化学位移值小，峰在高场出现D
屏蔽效应增强，化学位移值大，峰在低场出现
考题
单选题使得醛基氢（-CHO）化学位移较大的主要原因是（）。A
诱导效应B
共轭效应C
氢键效应D
磁各向异性效应
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